Ось - кристаллит
Cтраница 3
Направление роста кристаллитов нормально к фронту кристаллизации. Поэтому при линейном процессе кристаллизации оси кристаллитов направлены по прямой, перпендикулярной плоскому фронту кристаллизации. Такая макроструктура называется линейной. [31]
Проведенные в лаборатории технологической прочности многочисленные исследования показали, что в подавляющем большинстве случаев в качестве расчетной схемы для определения среднестатистической формы и взаимного расположения кристаллитов можно принимать условие ортогональности осей кристаллитов к поверхностям семейств фронтов кристаллизации. Исходя из этого, уравнения пространственных осей кристаллитов находят как уравнения ортогональных траекторий к семейству поверхностей, образованному поступательным смещением поверхности фронта кристаллизации вдоль оси ОХ. [32]
Кристаллиты растут скачками, по мере нарастания термоконцентрационного переохлаждения; направление роста аустенитно-ферритных швов соответствует закону ортогональности к изотермической межфазной поверхности, что постепенно изменяет направление роста кристаллитов на 90 и измельчает их в центре шва. По мере увеличения скорости сварки степень изгиба осей кристаллитов снижается, что приводит к встречному росту и срастанию кристаллитов в центре шва передними гранями. [33]
Результаты исследования анизотропии свойств крупных слитков свидетельствуют о больших резервах деформируемости литого металла в связи с тем, что пластичность литой стали выше в направлении осей дендритов. Отсюда следует важный вывод, что при совпадении осей кристаллитов с направлением прокатки резко повышается пластичность металла в слитках и уменьшаются энергосиловые затраты на деформацию. [34]
 |
Рентгенограмма одно-осно ориентированного отожженного полиэтилентерефталата ( пучок рентгеновских лучей перпендикулярен направлению вытяжки. [35] |
Фотометрирование вдоль полученных дуг показывает, что интенсивность дифрагированного рентгеновского излучения неравномерно распределена по азимуту. Это свидетельствует о том, что существует некоторое распределение осей кристаллитов относительно оси текстуры. [36]
 |
Последовательные стадии совмещения систем координат кристаллита и агрегата. [37] |
На рис. 2.4 показаны последовательные стадии совмещения координатных систем, причем ось кристаллита, относительно которой происходит вращение, показана в виде светлой ( контурной) стрелки, а штриховкой отмечена ортогональная этой оси плоскость, в которой происходит поворот остальных осей кристаллита на один из углов Эйлера. [38]
 |
Структурная диаграмма сварных швов ( по Шеффлеру. [39] |
Большое значение при этом приобретает форма сварочной ванны, определяющая направление роста осей кристаллитов и ориентацию их границ по отношению к оси шва. В узкой, глубокой и удлиненной сварочной ванне ( большая скорость сварки) кристаллиты растут наиболее неблагоприятно - навстречу друг другу с образованием зоны слабины в центре шва. Формируемый в этом случае шов обладает низкой технологической прочностью, так как его деформационная способность в ТИХ существенно снижена. [40]
 |
Элементарная ячейка целлюлозы. а - модель ячейки целлюлозы I. б - проекция ячейки целлюлозы I на плоскость ab. в - проекция ячейки целлюлозы II на плоскость ab. [41] |
Оказалось, что длина ребра с, направление которого совпадает с направлением оси кристаллита, равна длине остатка целлобиозы. Следовательно, цепи целлюлозы идут вдоль ребер с и каждая угловая цепь принадлежит одновременно четырем смежным ячейкам ( рис. 9.7, а и б), причем плоскости циклов звеньев глюкопи-ранозы лежат примерно в плоскостях ас. [42]
При произвольной ориентации кристаллиты в пленке ориентированы совершенно случайно, как и следует из названия. При фибриллярной ориентации ( этот тип ориентации обычно возникает за счет растяжения) одна ось кристаллитов, как правило, совпадающая с осью цепи макромолекулы, ориентирована в направлении растяжения. Неупорядоченность существует за счет поворотов около этой оси. При одноплоскостной ориентации ось кристалла перпендикулярна плоскости пленки, или, другими словами, одна из плоскостей кристалла параллельна поверхности пленки. [44]
На рис. 4 в качестве примера приведены результаты расчета осей кристаллитов по уравнениям ( 3) и ( 6) применительно к указанным формам фронтов кристаллизации, образующимся при квазистационарном процессе распространения тепла. В левых верхних углах рисунков показан разрез фронта кристаллизации, а также формы изотерм и осей кристаллитов, имеющих место в координатных плоскостях. Из рисунков видно, что при изменении формы фронтов кристаллизации форма осей кристаллитов претерпевает качественные изменения. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5