Ось - легкое намагничивание
Cтраница 2
Анизотропия в структуре создает ось легкого намагничивания, расположенную вблизи главной оси ленты. [16]
 |
Запоминающий элемент с одновит-ковой числовой обмоткой. [17] |
Элементы, в которых ось легкого намагничивания совпадает с осью цилиндра, получили название элементов р о д, а элементы, в которых легкая ось расположена по окружности цилиндра - элементов тористор. То или иное направление легкой оси создается соответствующей ориентацией магнитного поля в процессе изготовления пленок. [18]
Если в образце имеется ось легкого намагничивания, то он стремится повернуться так, чтобы эта ось оказалась как можно ближе к направлению приложенного магнитного поля, что вызывает появление крутильного момента. Из значений крутильного момента при вращении магнитного поля в плоскости образца вычисляется величина магнитной анизотропии в зависимости от угла между намагниченностью и кристаллогра-фич. [19]
 |
Структура плоскопараллельных доменов в магнитном одноосном кристалле.| Структура переходного слоя между доменами. [20] |
Для кристаллов с несколькими осями легкого намагничивания кроме рассмотренных антипараллельных ( 180 -ных) соседств возможно образование других чипов, например 90 -ных соседств. [21]
 |
Структура плоскопараллельных доменов в магнитном одноосном кристалле.| Структура переходного слоя между доменами. [22] |
Для кристаллов с несколькими осями легкого намагничивания кроме рассмотренных антипараллельных ( 180 -ных) соседств возможно образование других типов, например 90 -ных соседств. [23]
В лентах с положительной магнитострикцией ось легкого намагничивания расположена перпендикулярно поверхности ленты и совпадает с направлением растягивающей компоненты напряжения. В лентах с отрицательной магнитострикцией ось легкого намагничивания также может быть перпендикулярна поверхности ленты в областях, где растягивающая компонента параллельна поверхности. В любом случае основные домены образуются за счет перпендикулярной составляющей напряжения1, приводящей к появлению магнитной анизотропии в направлении толщины ленты. [25]
 |
Установка для напыления пленочных аппликаций.| Лабиринтная доменная структура. [26] |
При напылении в магнитном поле ось легкого намагничивания пленки всегда совпадает с направлением поля. Анизотропия, получаемая при напылении, не связана непосредственно с природной кристаллографической анизотропией напыляемого металла. [27]
Кристаллы Ва ( М) имеют ось легкого намагничивания. При ориентации постоянного поля вдоль оси легкого намагничивания кристалла резонанс наблюдается при частотах выше некоторой характерной частоты, называемой щелью. [28]
Кристаллы 7пг ( У) имеют ось легкого намагничивания. При меньших напряженностях поля имеет место резкое увеличение ширины кривой ФМР, связанное с возникновением в образце магнитной ( доменной) структуры. [29]
В процессе осаждения в пленке формируется ось легкого намагничивания ( ОЛН), направленная по окружности. Концентрично на валу размещена измерительная обмотка. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5