Ось - легкое намагничивание
Cтраница 4
По отношению к внешнему полю, направленному параллельно оси легкого намагничивания, одноосная пленка имеет прямоугольную форму петли гистерезиса. При этом, если Яс ЯЯА, процесс перемагничивания происходит путем смещения границ между доменами. При ЯЯь процесс перемагничивания происходит также путем вращения. При действии внешнего поля перпендикулярно направлению оси легкого намагничивания процессом перемагничивания является безгистерезисное вращение вектора намагниченности на угол а, определяемый условием минимума свободной энергии. [46]
На рис. 28.24 показано, как изменяется направление оси легкого намагничивания в кристалле гадолиния с изменением температуры. В интервале температур 250 - 290 К конус разрушается и возникает одно направление легкого намагничивания. [48]
На рис. 28.24 показано, как изменяется направление оси легкого намагничивания в кристалле гадолиния с изменением температуры. В интервале температур 250 - 290 К конус разрушается и возникает одно направление легкого намагничивания. [50]
Это направление предпочтительного намагничивания называют осью анизотропии или осью легкого намагничивания. [51]
Это приводит к созданию, по существу, одной оси легкого намагничивания, направленной вдоль оси сжатия. В этом случае процесс намагничивания протекает путем смещения границ и сердечник намагничивается уже в слабых полях. [52]
Кобальт, кристаллизующийся в гексагональной системе, имеет одну ось легкого намагничивания, совпадающую с осью призмы. [53]
При наличии внешнего поля самым энергетически выгодным направлением является ось легкого намагничивания, составляющая наименьший угол с направлением внешнего поля. [54]
 |
Схема распределения намагниченности в полностью изотропном ферромагнетике. [55] |
В кристаллических веществах, где направления магнитного момента и оси легкого намагничивания в различных доменах отличаются, ситуация существенно иная. [56]
Совместное решение энергетических и стохастических уравнений дает картину распределения осей легкого намагничивания и числовые значения напряженности магнитного поля анизотропных частиц. Решение ищется применением комбинированного численного метода расчета электромагнитных полей, состоящего из МКЭ и интегрального метода. Сопряжение подобластей производится на границе, совпадающей с поверхностью изделия. [57]
 |
Зависимость - ( Л при концентрациях СоО в шихте 0 4 ( 1. [58] |
В этом случае спонтанная намагниченность доменов связана с направлением оси легкого намагничивания кристаллита, но в слабых полях намагничивание идет за счет процессов смещения. [59]
 |
Конструктивная схе - В последнем случае провод-подложка ма запоминающего элемента на выполняет роль записывающей об-цилиндрической магнитной пленке мотки в режиме записи информации. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5