Cтраница 1
Оси симметричности высших порядков рассматривать не нужно. Как уже отмечалось, в рабочих формулах электронной плотности всегда учитывается лишь подгруппа симметрии, получаемая отбрасыванием осей симметричности высших порядков. [1]
Неравенства, характеризующие оси симметричности высших порядков, имеют более сложное построение. [2]
![]() |
Оси симметричности четвертого порядка. [3] |
На рис. 20 изображены 4 оси симметричности четвертого порядка. Первая и последняя встречаются в структуре поваренной соли. [4]
![]() |
Оси симметричности четвертого порядка. [5] |
На рис. 21 показаны все оси симметричности кристаллических структур. Центр симметрии, эквивалентный инверсионной оси симметрии первого порядка, на чертежах обозначается кружком, а в тексте - I. Черным треугольником с белым кружком посередине обозначают также тройную инверсионную ось 3, включающую в себя всегда, как известно, центр симметрии. Она эквивалентна шестерной зеркаль-но поворотной оси. В литературе можно встретить обозначение, в котором такие же белые кружки помещены в центре значка для четных осей. Это является указанием на наличие центра симметрии, располагающегося на соответствующей оси. Ясно, что наличие центра симметрии на четной оси вызывает появление плоскости симметрии, перпендикулярной к этой оси. [6]
![]() |
Сложение плоскостей симметричности. [7] |
Затем необходимо выяснить, где будут находиться производные оси симметричности, получающиеся при сложении плоскостей симметричности, имеющих горизонтальные переносы. [8]
![]() |
Оси симметричности четвертого порядка. [9] |
В правой части рис. 21 указаны обозначения осей симметричности, лежащих в плоскости чертежа. [10]
U ( 2h2k2l) и неравенства, связанные с осями симметричности ( 19а), в данном случае пользы не приносят, так как удвоение сразу двух или трех индексов любого из более или менее сильных рефлексов, как правило, уводит за пределы поля присутствующих отражений. [11]
Контроль накопленной погрешности окружного шага, параллельности боковых поверхностей зубьев относительно оси центров-и симметричности зуба относительно оси центров в поперечном сечении после шлифования профиля выполняют аналогично контролю после фрезерования. [12]
В первом разделе рассматриваются формулы электронной плотности в присутствии плоскости симметричности, во втором в присутствии оси симметричности, в третьем - в присутствии центра инверсии. В первой ( левой) колонке даны комбинации тригонометрических функций, представленные в формуле. Строки I и II разделяют функции, действующие при разных условиях четности индексов. Сами эти условия для каждого случая симметрии и возможных положений элемента симметрии указаны в правой части таблицы. [13]
![]() |
Кривые распределения структурных. [14] |
Распределение структурных амплитуд нецентросимметричного и центросим-метричного кристаллов различается фундаментально, так как одно из них соответствует распределению случайных величин на плоскости, другое - на прямой. Другие элементы симметрии - плоскости и оси симметричности - не могут вызывать такого различия. [15]