Бинарная ось

Cтраница 1

Бинарные оси изображены сплошными линиями, оси третьего порядка - штриховыми линиями. [1]

Бинарные оси изображены сплошными, оси третьего порядка - штриховыми, а оси четвертого порядка - штрих-пунктирными линиями. [2]

С второго порядка ( бинарную ось), перпендикулярную плоскости az, и точку /, в которой эта ось пересекается с плоскостью. [3]

Зависимость термоэлектрической добротности от состава сплавов Bi - Sb. s.| Зависимости удельного сопротивления, коэффициента термоЭДС, коэффициента теплопроводности и 2МТЭ Bi85bbi5 от напряженности магнитного поля. / - 80 К. 2 - 100 К. 3 - 150 К. 4 200 К. [4]

Магнитное поле, направленное перпендикулярно тепловому потоку вдоль бинарной оси, приводит к улучшению добротности. [5]

Ток направлен по тригональной оси кристалла; магнитное поле перпендикулярно к бинарной оси. Трехмиллионное увеличение сопротивления получается, с одной стороны, за счет большого т и, с другой - вследствие наличия свободных электронов и дырок в почти одинаковом числе, благодаря чему параболический рост идет достаточно далеко. [6]

Перестановочные преобразования номеров атомов в позиции Зс группы РгаЗга и базисных векторов. [7]

А сейчас для нас достаточно учесть, что точечный элемент 2 ( бинарная ось симметрии в пл. [8]

Зависимость перепада температуры от тока через термоэлемент Эттингсгаузена из висмута при охлаждении от комнатных температур.| Зависимость - перепада температуры от напряженности магнитного поля для термоэлемента Эттингсгаузена из висмута при охлаждении от комнатных температур для образца № 1 ( [ ПО ].| Зависимость перепада температуры от напряженности магнитного поля на термоэлементе Эттингсгаузена экспоненциальной формы ( Bie7Sb3. Температура горячей грани. [9]

На прямоугольном образце из Bi9e - Sb4 размерами 11 хЗХ X 4 мм в магнитном поле 1 65 Т [38], направленном вдоль бинарной оси, получено снижение температуры на 22 К от 166 К. [10]

Ориентация и форма эллипсоидов постоянной энергии, центрированных в плоскости XZ.| Зависимость теплопроводности кристаллической решетки от состава х твердого раствора ( В12Те3 1 эс ( 8Ь2Те3 л. ( 1 и. [11]

В [221] выдвинуто предположение, что с ростом энергии форма изоэнергетических эллипсоидов искажается, и при р 4 - 1018 см-3 эллипсоиды соединены трубками, оси которых параллельны зеркальным плоскостям, а центры расположены на бинарной оси. [12]

Зона Бридлюэна для BigTe3 и его аналогов.| Ориентация и форма эллипсоидов постоянной энергии, центрированных в плоскости XZ.| Зависимость теплопроводности кристаллической решетки от состава х твердого раствора ( В12Те3 1 х ( 8Ь2Те3 л ( 7 и ( В Те ВцЗв ( 2 по. [13]

В [221] выдвинуто предположение, что с ростом энергии форма изоэнергетических эллипсоидов искажается, и при р 4 - 1018 см 3 эллипсоиды соединены трубками, оси которых параллельны зеркальным плоскостям, а центры расположены на бинарной оси. [14]

Такой выбор связан, во-первых, со следующим, на первый взгляд, непонятным экспериментальным фактом, который желательно объяснить с сим-метрийных позиций. Во-вторых, пространственная группа этого кристалла Pna2i обладает той особенностью, что в нем имеется одно выделенное ( полярное) направление - в данном случае бинарная ось симметрии, которая не может быть изменена ( преобразована) не только по направлению, но и по знаку. [15]

Страницы: 1 2