Cтраница 2
Рассмотрим теперь случай очень сильных полей. После того как это произойдет для всех трех групп электронов ( / 1, 2, 3), кристалл должен был бы стать изолятором, электропроводность которого экспоненциально убывала бы с усилением магнитного поля. Если магнитное поле перпендикулярно к бинарной оси кристалла, то это должно было бы получаться уже начиная с Н - 30 кгс, при других положениях - в более сильных полях; если магнитное поле направлено по бинарной оси, то - при полях, в несколько десятков раз больших. [16]
Рассмотрим теперь случай очень сильных полей. После того как это произойдет для всех трех групп электронов ( / 1, 2, 3), кристалл должен был бы стать изолятором, электропроводность которого экспоненциально убывала бы с усилением магнитного поля. Если магнитное поле перпендикулярно к бинарной оси кристалла, то это должно было бы получаться уже начиная с Н - 30 кгс, при других положениях - в более сильных полях; если магнитное поле направлено по бинарной оси, то - при полях, в несколько десятков раз больших. [17]