Кристаллографическая ось

Cтраница 3

Если выбрать кристаллографические оси так, чтобы они проходили параллельно ребрам кристалла ( что обыкновенно и делается), то отрезки по этим осям, которые отсекает исходная грань кристалла ( грань Р), определяют основную ячейку данного кристаллического вещества. [31]

Обычно четыре кристаллографические оси; три оси составляют между собой углы в 120, четвертая ось перпендикулярна к плоскости их расположения. Три отрезка на горизонтальных осях равны между собой. [32]

Кварц. а - правый, б - левый. [33]

При выборе кристаллографических осей необходимо придерживаться правил ( см. табл. 1.1), принятых в кристаллографии и обязательных для всех исследователей. Выполнение этих правил сводит к минимуму возможный в этом случае произвол. Следует всегда помнить, что от расположения осей координат зависят кристаллографические индексы, определяющие положение узловых плоскостей и направлений в кристалле. [34]

Решетка NaCI. Трансляционные решетки ионов обоих видов сдвинуты параллельно осям на расстояния / 2. О, О.| Индицирование грани кристалла. [35]

Отрезки на кристаллографических осях по трем направлениям измеряются не одинаковым масштабом, а соответствующими периодами трансляции Со, & о и с0 или кратными им отрезками т-а 0, п - Ь0 и р-с 0, где т, пир - целые числа. [36]

При определенной ориентации кристаллографических осей все е, 0 для m ф n, тогда оставшиеся значения e L ( при я - т) являются главными коэффициентами тензора диэлектрической проницаемости при стандартной установке кристалла. [37]

Определенные [50, 51 ] отношения кристаллографических осей и углы практически совпадают. Позже [52] даны другие параметры аи элементарных ячеек. [38]

Если грань параллельна кристаллографической оси, то отрезок, отсекаемый ею на этой оси, равен бесконечности. [39]

Иллюстрация симметрии рентгенограммы вращения при помощи обратной решетки и сферы отражения. [40]

Если вращение происходит вокруг кристаллографической оси ( X, Y или Z), то соответствующий индекс ( h, k или /) всех пятен слоевой линии одинаков. [41]

Если повернуть К-срез относительно кристаллографических осей, то компонента упругости с 6в будет иной, нежели компонента ссо. Упругость является тензором четвертого ранга, и компонента с ы может быть определена аналогично тому, как выше определялся пьезомодуль при повороте Х - среза кварца. [42]

Для характеристики направленности кристаллографических осей осажденных кристаллов применяется термин текстура осадков - см. определение этого термина на стр. Если у всех кристаллов имеется определенная кристаллографическая ориентация, параллельно одному направлению, то это одно общее направление называется осью текстуры. Так, например, в случае осадка с осью текстуры, соответствующей октаэдру, все кристаллы ориентированы осью ( 111) перпендикулярно поверхности катода. При сопоставлении формы и ориентации кристаллов и свойств осадков часто обнаруживается, что осадки, в которых; базисные плоскости параллельны плоскости катода, оказываются блестящими. В случае расположения кристаллитов осадка плоскостью базиса перпендикулярно катоду осадки получаются матовыми, шероховатыми. [43]

Пластины, вырезанные перпендикулярно соответствующей кристаллографической оси кварцевого кристалла, будучи сжаты, дают на их металлизированных плоскостях электрические заряды разных знаков. [44]

Типичные полюсные фигуры для пленок из изотактического полипропилена, полученные экструзией с раздувом рукава. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5