Кристаллографическая ось

Cтраница 4

Было показано, что кристаллографическая ось Ъ стремится расположиться перпендикулярно к поверхности пленки. Типичные примеры полюсных фигур и факторов двухосной ориентации приведены на рис. 9.16 и 9.17 соответственно. [46]

Типичные полюсные фигуры для пленок из изотактического полипропилена, полученные экструзией с раздувом рукава. [47]

Было показано, что кристаллографическая ось b стремится расположиться перпендикулярно к поверхности пленки. Типичные примеры полюсных фигур и факторов двухосной ориентации приведены на рис. 9.16 и 9.17 соответственно. [48]

Чертеж к определению индексов грани. [49]

Как располагаются в пространстве кристаллографические оси при описании многогранников. [50]

В каком порядке выбираются кристаллографические оси в кристаллах моноклинной сингонии. [51]

Влияние давления паров.| Изменение поверхностной проводимости антрацена во влажном воздухе для свежей ( / и прокорро-дировавшей на воздухе поверхности ( 2. [52]

В зависимости от направления кристаллографической оси чувствительность электропроводности к парам иода различна. Пластинки, вырезанные перпендикулярно плоскости АВ, чувствительны уже при давлениях 10 4 мм рт. ст. Пластинки, параллельные АВ, нечувствительны в области малых давлений, но при больших давлениях иода проводимость увеличивается быстрее. Следует отметить, что не удалось получить изменения проводимости стильбена и нафталина под действием паров иода. [53]

Изменяя ориентацию магнитного поля относительно кристаллографических осей, можно, очевидно, получить полезнейшую информацию об электронной структуре металла, причем различные осцилляционные эффекты дают количественные характеристики разных параметров поверхности Ферми. Ферми с поверхностью зоны Бриллюэна. [54]

Поскольку обычно осаждение происходит вдоль определенных кристаллографических осей, у большей части пиролитических покрытий наблюдается направленная ориентация кристаллов. [55]

Кривая намагничивания ферромагнетика. [56]

При статистически неупорядоченном расположении кристаллографических осей отдельных зерен в поликристаллическом ферромагнитном материале магнитная анизотропия отдельных зерен взаимно компенсируется и материал в целом оказывается практически маг-нитноизотропным. [57]

Эти оси принимаются за кристаллографическую ось с, с которой совмещается ось Z. Оси а и b располагаются в плоскости, перпендикулярен оси с, образуя между собой прямой угол. [58]

Неодинаковость магнитных свойств по различным кристаллографическим осям называется магнитной анизотропией. Магнитная анизотропия свойственна монокристаллам не только железа и никеля, но и других ферромагнетиков. [59]

Направление роста дендритов соответствует кристаллографическим осям кристаллизующегося металла. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5