Отбор - транзистор
Cтраница 1
Отбор транзисторов с такими значениями обратного тока коллектора затруднителен. [1]
 |
Временной дрейф остаточного напряжения транзисторов типа П103. [2] |
В случае специального отбора транзисторов для работы их в схемах модуляторов приведенные выше значения изменения остаточного напряжения могут быть снижены в 2 - 3 раза. [3]
Примем, что специальный отбор транзисторов не производится и производственный разброс коэффициента передачи тока эмиттера подчиняется нормальному закону. [4]
Уменьшение влияния этой составляющей может быть достигнуто отбором транзисторов по величине сопротивлений между электродами и снижением приложенного к закрытому транзистору запирающего напряжения. [5]
Допустим, что для применения в первом каскаде производится отбор транзисторов со средним значением обратного тока коллектора / jjgggoQ lO мка. [6]
Единственным способом повышения величины г3 при двух-полярном способе коммутации является отбор транзисторов по величине сопротивлений утечки гэб и гкб. [7]
Однако такого типа схемы требуют особо тонкой настройки и предъявляют высокие требования к отбору транзисторов и их временной стабильности. [8]
Если задаться условием tg ( pi tgpT, то из соотношений ( 5 - 80) можно рассчитать величину обратного тока коллектора, по которой следует производить отбор транзисторов для первого каскада проектируемого усилителя. [9]
Для того чтобы обеспечить достижение требуемых компенсационных свойств сопротивления эмиттер - коллектор транзистора первого каскада ( tgp3Ki 0 046 и Д / кн 3 25 ма), необходимо производить отбор транзисторов П201А по величине обратного тока коллектора. [10]
Трансформатор Тр собирается на таком же сердечнике, как и трансформатор блока системы зажигания. Если предполагается изготовить только один блок, для отбора транзисторов можно использовать трансформатор, предназначенный для установки в блок. Тогда переключатель П следует исключить, так как проверять один блок прибором нет необходимости. [11]
В заключение следует заметить, что вопрос о шумах и минимально допустимом уровне сигнала здесь не рассматривается, так как он был изложен ранее. Можно напомнить только, что наиболее низкий коэффициент шумов достигается при сопротивлении нагрузки около 1 ком и отборе транзисторов; однако даже и в этом случае шумы на порядок выше, чем в ламповых схемах. Поэтому в тех случаях, когда требуется передавать малые сигналы, входной каскад следует выполнять на электронных лампах. Хотя вопросы измерения малых токов здесь также не затрагиваются, можно отметить, что и в этом случае необходимо входные каскады строить на вакуумных лампах, обладающих существенно большим входным сопротивлением, и лишь в последующих элементах использовать транзисторы. [12]
Одной из основных причин, ограничивающих масштабы применения транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре, является нестабильность их параметров при колебаниях температуры окружающей среды и изменениях питающих токов и напряжений, а также наличие значительного производственного разброса параметров. Из-за этого, в частности, исключается возможность массового производства многих видов радиотехнических устройств, к которым предъявляются повышенные требования но стабильности и идентичности выходных параметров, Оез специального отбора транзисторов и применения тер-мостатирования. Такие меры приводят к ощутимому удорожанию аппаратуры, увеличению ее габаритов и веса или к вынужденному ослаблению требований к ней. [13]
Основная доля потерь мощности в блоке падает на нагревание выпрямительных диодов вторичной цепи, а КПД самого преобразователя таков, что нет необходимости в теплоотводах для транзисторов. Мощность потерь на каждом из них не превышает 0 4 Вт. Специального отбора транзисторов по каким-либо параметрам также не требуется. При замыкании выхода или превышении максимальной выходной мощности генерация срывается, защищая транзисторы от перегревания и пробоя. [14]
Однако, способ взаимной компенсации температурного дрейфа нельзя практиковать как основное средство уменьшения дрейфа усилителя, так как подбор транзисторов даже с высокой степенью точности не гарантирует эту точность с течением времени из-за старения транзисторов. К тому яе отбор транзисторов с высокой точностью является сложной задачей при выпуске изделий. [15]
Страницы: 1 2