Отжиг - дефект
Cтраница 1
Отжиг дефектов в образцах, облученных небольшими интегральными потоками нейтронов, начинается при температуре 300 С и развивается равномерно по мере увеличения температуры. [1]
При наличии отжига дефектов рост [ П ] и Мп со временем принимает S-образный характер. [3]
Энергия активации процесса отжига дефектов на стадии Q-2, вычисленная Федеричи [18], равнялась 1 33 0 05 эв. [4]
 |
Доля атомов примесей F, занимающих замещенные ( 1 и междоузепъные нететраэдрическое ( 2 и тетраэдрическое ( 3 положения. [5] |
Обнаружена сильная зависимость скорости отжига дефектов или энергии активации отжига А. [6]
 |
Типичная геометрия солнечного Si элемента. [7] |
В случае этих элементов для отжига дефектов, а также для обеспечения сплавления и спекания контактов на лицевой и тыльной поверхностях применяли нагрев с помощью импульсного электронного пучка. Перспективным способом устранения имплантационных повреждений является также лазерный отжиг. [8]
Исследованные в [117, 114] процессы образования и отжига V-радиационных дефектов в чистых кристаллах Ge ( с уровнем остаточных примесей 2 1013см - 3) указывают на то, что образование радиационных дефектов в rc - Ge идет, главным образом, за счет объединения вакансий с примесными атомами V группы. Причина их появления - образование комплексов типа атом элемента V группы 4-две вакансии. Характерно, что уровень ga 0 1 эВ ( близкий к Ev - - 0 09 эВ работы [114]), наблюдавшийся в пластически деформированном Ge, авторы работ [104, 394, 395] приписывали дивакансиям. [9]
Важным моментом является также электрическая активизация и отжиг дефектов путем термообработки подложки. Степень восстановления кристаллических свойств измеряется методом обратного рассеяния Резерфорда ( производится измерение распространения по каналам ионов Не с энергией несколько МэВ), а определение количества активизированного электрического заряда ( доноров и акцепторов) - путем измерения холловской подвижности. Измерения, правда, касаются только основных носителей, хотя неосновные носители также оказывают влияние за счет глубоких уровней, образованных остаточными дефектами. [10]
В частности, Георгиев [75], изучая кинетику отжига дефектов упаковки при 800 - 830 С, обнаружил заметное уменьшение их плотности независимо от газовой среды, в которой проводился отжиг. Он подробно рассмотрел дислокационный механизм удаления дефектов упаковки. [11]
 |
Зависимость относительного изменения высоты областей когерентного рассеяния Lc от флю-енса при различной температуре, указанной на графике. [12] |
CD; - постоянные; Q, - энергии активации отжига дефектов и комплексообразования в процессе облучения; Т - температура, К; k - постоянная Больцмана. Описываемые уравнением (3.2) экспоненциальные зависимости справедливы па крайней мере в интервале температуры облучения 100 - 800 С. [13]
Однако эти изменения являются результатом совместного действия как смещения атомов, так и отжига дефектов. Поэтому необходимо ввести температурную коррекцию данных изменения свойств, полученных в реакторах с различной скоростью создания нарушений. [14]
В общем случае зависимость lnkf ( l / T) при условии одновременности твердофазного взаимодейстция и отжига дефектов должна быть криволинейной. [15]
Страницы: 1 2 3 4