Отжиг - дефект
Cтраница 3
Авторы работы [167] изучили структуру эпитаксиальных пленок кремния непосредственно в процессе их отжига в электронном микроскопе при температуре до 1200 С в вакууме 10 - 4 мм рт. ст. Ниже 700 С никаких изменений плотности дефектов упаковки не происходит. При более высоких температурах ( 700 - 1200 С)) наблюдается частичный отжиг дефектов. Он происходит путем мгновенного исчезновения наблюдаемого несовершенства. [31]
 |
Изменения механических параметров пленочных диэлектриков в зависимости от поглощенной дозы ИИ.| Зависимость разрушающего напряжения при изгибе аи от флюенса нейтронов. [32] |
Коэффициент линейного расширения при облучении менялся очень мало. Наблюдалась усадка пирекса, меньшая при более интенсивном облучении нейтронами вследствие некоторого отжига дефектов. [33]
Однако высокотемпературное воздействие может привести к ряду нежелательных эффектов, в частности, к отжигу неравновесных дефектов в активных фазах. Кроме того, в ряде случаев использование высоких температур исключается из-за того, что реагенты и продукты реакции претерпевают необратимые изменения. К числу таких изменений относятся следующие. [34]
Действительно, из данных табл. 3 видно, что при наращивании на облученном порошке по сравнению с исходным при 950 С проводимость вырастает до значительно большей тогда как общий привес новой фазы уменьшается. В то при 1000 С различие заметно меньше, что, вероятно, связано с отжигом дефектов при повышенной температуре. [35]
Это связано с изменением эффективности радиационного отжига при изменении температуры. Последний факт находит объяснение, если предположить, что существуют некоторые объемы спонтанной аннигиляции пар Френкеля [241] или отжига дефектов на стоках при данной температуре. [36]
У многих веществ дефекты, возникающие при облучении, исчезают, как только облучение прекращается: этот процесс носит название отжига дефектов. При этом часто первоначальные свойства исходных соединений полностью восстанавливаются. Однако существуют условия, зависящие от структуры твердого тела и характера излучения, когда дефекты остаются длительное время после облучения. [37]
Чтобы предотвратить взаимное погашение дефектов решетки, необходимо производить облучение при температуре, близкой к абсолютному нулю. Однако опыт показывает, что и этого недостаточно, чтобы сохранить все создаваемые облучением дефекты решетки. Оказывается, что самое облучение производит отжиг дефектов, который можно назвать радиационным отжигом, вследствие вызываемых облучением термических пиков. Это происходит потому, что не вся кинетическая энергия смещенных атомов приходит к нулю, когда атом в конце своего пути перестает вызывать новые смещения и останавливается. [38]
Некоторые из этих дефектов или все они вместе могут увеличивать каталитическую активность. Однако часто значительного увеличения активности [151] не происходит, даже если при облучении образуются такие дефекты. Причина этого может заключаться просто в том, что имеется тенденция отжига дефектов кристаллической решетки при температурах, при которых проводят изучение катализа. Уменьшение активности после облучения почти всегда и неизменно связано с деструкцией активных центров под действием радиации. Так, Шваб и др. [148, 149] нашли, что каталитическая активность как меди, так и никеля при гидрировании этилена при предварительном облучении этих веществ ее -, Р - или у-радиацией фактически сводилась к нулю. Так как каталитическую активность удавалось восстановить обработкой водородом, был сделан вывод, что роль активных центров в этой каталитической реакции играют поверхностные атомы металла, на которых адсорбирован водород. [39]
Из общих представлений о причинах, вызывающих появление теплового эффекта в каскаде столкновений, следует, что в случае облучения урана осколками деления большая масса атомов урана наряду с высокой энергией частиц, инициирующих пики смещения, будет способствовать значительному локальному разогреву решетки в течение очень коротких промежутков времени. По расчетам Нельсона [33], атом отдачи с энергией 60 кэВ вызывает повышение температуры на 1450 К, которая сохраняется примерно 10 - с. Летертром предложен другой способ оценки максимальной температуры в пиках смещения, основанный на отжиге дефектов закалки в уране при облучении осколками деления. Исследование процесса отжига методом измерения электросопротивления позволяет оценить объем материала, в котором пик смещения отжигает пары Френкеля, и получить, таким образом, представление о температуре в пике смещения. Расчет по этому методу дает температуру порядка 2200 К, что, однако, рассматривается как верхний предел; среднее повышение температуры в пиках ожидается несколько меньше. Следовательно, расчеты Летертра подтверждают оценку Нельсона. [40]
 |
Затухание ударной волны в стали и алюминии при скользящей детонации тонких слоев ВВ. [41] |
Как показывает анализ зависимости (21.1), с увеличением давления нагруже-ния относительный прирост твердости замедляется и при р / ( 0 1 ( 7) 7 становится малозаметным. При дальнейшем увеличении давления ударно-волнового нагруже-ния возрастает остаточная температура после разгрузки детали. Когда остаточная температура превзойдет температуру рекристаллизации Тг 0 4ТПЛ, произойдет термическое разупрочнение - отжиг дефектов, образованных ударной волной, и остаточные механические свойства обрабатываемого материала возвратятся к исходным значениям. В табл. 21.1 приведены давления ударно-волнового нагру-жения рг, при которых остаточная температура после изэнтропическои разгрузки соответствует Тг. На практике остаточная температура достигает значения Тг при существенно меньших давлениях нагружения из-за интенсивных пластических деформаций, имеющих место при нагружении деталей мощными ударными волнами. Остаточные пластические деформации способствуют дополнительному нагреву обрабатываемого материала. [42]
Передатчик цепи начинает оказывать влияние на рост цепочки ужена первых этапах пост-полимеризации. Для кинетических кривых при температуре выше 55 С и ниже 45 С наблюдается постоянный рост молекулярных весов во время полимеризации. Кинетические кривые при температуре ниже 45 С имеют индукционные периоды, которые можно объяснить отжигом дефектов. Естественно, молекулярные веса за время индукционного периода растут с ростом процента превращения. При 60 С вблизи точки плавления монокристалла триоксана возможно выделение передатчика цепи в отдельную фазу из-за облегчения диффузии, поэтому и наблюдается постоянный рост молекулярных весов. Аналогичное явление-наблюдается, по-видимому, и в поликристалле. [43]
Если достаточно быстро охладить образец от температуры TQ до температуры, при которой дефекты неподвижны, то сохранится та концентрация дефектов, которая установилась при температуре TQ. Проще всего изучать изменение электрического сопротивления бр, однако иногда также измеряется освобождающаяся энергия ЪЕ или изменение объема 6У ( или длины) при отжиге дефектов. [44]
При более высоких температурах облучения наблюдается, как правило, проявление второго эффекта - увеличение предела текучести. В интервале температур 20 - 500 С при прочих равных условиях с повышением температуры для многих еталей снижается эффект радиационного упрочнения, что является следствием отжига дефектов при более высоких температурах облучения. [45]
Страницы: 1 2 3 4