Высокотемпературный отжиг
Cтраница 3
Нормализация - разновидность высокотемпературного отжига, при котором охлаждение дается частично или полностью на спокойном воздухе-обычно преследует цель улучшения механических свойств. Однако нормализации могут подвергаться и отбеленные детали, в которых требуется получение перлитной или сорбитной основной металлической массы. В этом случае нормализация, так же как и отжиг, преследует цель понижения твердости и уменьшения количества связанного углерода. [31]
Растворение происходит при высокотемпературных отжигах композитов, и оно может оказаться существенным, если требуются значительные времена выдержки. [33]
При рулонном способе производства высокотемпературный отжиг производят в рулонах в электрических одностопных колпаковых печах в атмосфере сухого водорода с одноярусным расположением рулонов. Чтобы устранить кривизну рулонов, которая получается при высокотемпературном отжиге, производят светлый отпуск при 800 в непрерывной горизонтальной протяжной печи. [34]
Экспериментально установлено, что ступенчатый высокотемпературный отжиг ( до 1220 К с выдержкой 300 с) специально отобранных высококачественных диэлектрических кристаллов синтетического и природного алмаза практически не влияет на их диэлектрические характеристики. Размытость экстремумов в зависимостях ей tg6 от температуры отжига обусловлена тем, что процесс гомогенизации состава включений при отжиге в больших партиях порошков алмаза охватывает широкий температурный интервал из-за индивидуальных особенностей формы, размеров и фазового состава включений в отдельных кристаллах. Следует отметить, что именно в этом температурном интервале отжига синтетических алмазов наблюдаются изменения магнитных свойств кристаллов ( см. гл. [35]
Экспериментально установлено, что ступенчатый высокотемпературный отжиг ( до 1220 К с выдержкой 300 с) специально отобранных высококачественных диэлектрических кристаллов синтетического и природного алмаза практически не влияет на их диэлектрические характеристики. Размытость экстремумов в зависимостях е и tg6 от температуры отжига обусловлена тем, что процесс гомогенизации состава включений при отжиге в больших партиях порошков алмаза охватывает широкий температурный интервал из-за индивидуальных особенностей формы, размеров и фазового состава включений в отдельных кристаллах. Следует отметить, что именно в этом температурном интервале отжига синтетических алмазов наблюдаются изменения магнитных свойств кристаллов ( см. гл. [36]
Термическая обработка состоит из высокотемпературного отжига 1300 - 1100 С с нормированной скоростью охлаждения. [37]
Для укрупнения его частиц применяют высокотемпературный отжиг ( 1100 - 1200 С) с последующим осторожным измельчением в ступке до требуемых размеров. [38]
Исследовано перераспределение мышьяка в процессе высокотемпературного отжига и эпитаксиального наращивания. Основной перенос примеси из скрытого слоя на участки высокоомного кремния р-типа проводимости происходит на этапе предэпитаксиальной обработки. Он приводит к образованию тонкого n - слоя проводимости. [39]
 |
Петли гистерезиса. [40] |
Изделия из этого сплава подвергают высокотемпературному отжигу ( 1100 - 1150 С) и затем термомагнитной обработке, которая заключается в нагреве до 650 - 700 С при наложении магнитного поля и медленном охлаждении б этом магнитном поле до температуры 20 С. [41]
При производстве специальных сталей необходимо осуществлять высокотемпературный отжиг под вакуумом при температуре 1 180 С. Такой отжиг осуществляется в вакуумных колпаковых электропечах типа УКР-03. Металл при высокотемпературном отжиге, кроме нагрева, подвергается также и охлаждению до температуры 600 С и дальнейшему охлаждению при снятом колпаке. Необходимо отметить, что охлаждение металла под колпаком происходит очень медленно ( более 100 ч), что резко снижает производительность печи и увеличивает удельные расходы электрической энергии. [42]
Обычно после ионного легирования выполняется этап высокотемпературного отжига при температуре от 900 до 1000 С; это - отжиг, выполняемый с помощью лазерного луча, или импульсный отжиг с источником электронного пучка. Отжиг позволяет уменьшить число дефектов регулярной кристаллической решетки на внешней поверхности легированной пластины, вызванных бомбардировкой ионами примесей. С созданием безопасной системы подачи цилиндров с трехфтористым бором, фосфином и арсином, применяемых в установках ионного легирования, вероятность катастрофических высвобождений этих газов сильно уменьшилась. Небольшие газовые баллоны наполняют соединением, в котором арсин, фосфин и трехфтористый бор адсорбируются. Газы вытягивают из баллонов вакуумом. [43]
 |
Схема базирования для обработки баз. [44] |
В условия поставки заготовки включается выполнение высокотемпературного отжига для снятия внутренних напряжений первого рода. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5