Отклонение - электрон
Cтраница 2
Искомая величина отклонения h равна сумме отклонения электрона в поле пластин / г, и отклонения / г., вызванного изменением направления движения электрона в поле пластин. [16]
Другие методы определения отношения е / мг основаны на отклонении электронов в электрическом и магнитном полях. [17]
Для практических целей часто бывает важно знать среднеквадратичный угол ] / фа отклонения электрона от первоначального пути после прохождения слоя вещества. [18]
Для практических целей часто бывает важно знать среднеквадратичный угол ] / № отклонения электрона от первоначального пути после прохождения слоя вещества. [19]
Весьма важным обстоятельством, которое необходимо учитывать при конструировании пентодов, является отклонение электронов полем витков сеток от направления, нормального к аноду. [20]
Существуют и другие методы определения отношения е / т, основанные на отклонении электронов в электрическом и магнитном полях. [21]
Подача, например, положительного напряжения на верхнюю пластину ( ВО) вызывает отклонение электронов вверх на S мм. Отношение смещения S к вызывающему его напряжению U называется чувствительностью трубки. Перемена знака напряжения вызывает изменение направления отклонения. [22]
Удельный заряд электрона ( отношение заряда электрона к его массе) определяется методом отклонения электронов в магнитном поле соленоида. Источником электронов в лампе СО-118, применяемой в данной работе, является подогревный катод. Сетка лампы соединена с анодом через сопротивление порядка 12000 ом. Такое сопротивление превращает трехэлект-родную лампу в двухэлектродную, с вторым электродом в месте расположения сетки. [23]
Измерение зтой величины основано на том, что она вместе со скоростью определяет величину отклонения электрона в электрическом и магнитном полях. Пучок электронов, выделенный узкой диафрагмой, получает определенную скорость, пролетая в продольном электрическом поле. После этого его отклоняют поперечным электрическим или магнитным полем. Отклонение определяется по перемещению следа электронного пучка на фосфоресцирующем экране или фотографической пластинке, помещенных перпендикулярно к пучку. Сами электроны получаются обычно или в виде катодных лучей в разрядной трубке, или при накаливании металлических нитей в пустоте. [24]
Силы F, действующие на электроны, направленные по касательным к силовым линиям поля, вызывают отклонения электронов от продольной оси трубки. [25]
При подключении электрического поля, создаваемого подводимыми к пластинам ОП и ОП исследуемыми напряжениями, происходит отклонение электронов. [26]
Если время пролета электрона в пространстве между, пластинами сравнимо с периодом отклоняющего напряжения, то угол отклонения электрона по выходу из пластин зависит от частоты отклоняющего напряжения. Полоса пропускания ограничена также паразитными реактивными параметрами отклоняющей системы: индуктивностью и емкостью пластин и вводов. Причем в обычных конструкциях отклоняющих систем эти ограничения оказываются более жесткими, чем ограничения, связанные с конечной величиной времени пролета. [27]
Этот результат показывает, что в трубках с разверткой медленными электронами при наличии однородного продольного фокусирующего магнитного поля отклоняющие системы вызывают отклонения электронов в направлениях, перпендикулярных к отклонению электронов в трубках обычных типов. [28]
 |
Электронный индикатор. [29] |
Если потенциал управляющего электрода становится меньше, то напряженность поля в пространстве между этим электродом и экраном увеличивается, что приводит к отклонению электронов от прямолинейного пути. Они как бы отталкиваются управляющим электродом и не попадают на часть экрана, расположенную за электродом. [30]
Страницы: 1 2 3 4