Отклонение - электрон - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Вы молоды только раз, но незрелым можете оставаться вечно. Законы Мерфи (еще...)

Отклонение - электрон

Cтраница 3


Как хорошо известно, в такого рода скрещенных полях к поступательному движению электронов вдоль вектора Н добавляется циклоидальное движение, приводящее к отклонению электронов в направлении нормали к векторам Н и IE.  [31]

Чтобы применить эту формулу к нашему случаю колеблющейся частицы, заметим, что она представляет собой переменный электрический диполь с моментом р es, где s - отклонение электрона от положения равновесия в данный момент времени.  [32]

Начальный участок анодной характеристики обращен выпуклостью вверх, если, как только что было показано, его форма определяется переходом от режима возврата к режиму перехвата и отклонением электронов при прохождении сеток. Но может случиться, что на форме характеристики отразится влияние пространственного заряда между сеткой С2 и анодом.  [33]

Этот результат показывает, что в трубках с разверткой медленными электронами при наличии однородного продольного фокусирующего магнитного поля отклоняющие системы вызывают отклонения электронов в направлениях, перпендикулярных к отклонению электронов в трубках обычных типов.  [34]

35 Влияние рассеяния электронов на форму характеристики при прохождении сквозь одну ( а, две ( б и три ( в сетки пентода. [35]

Возможность выполнения этих требований зависит от двух явлений, с которыми мы не встречались при расчете триодов, а именно: 1) распределения потенциала вблизи анода и 2) отклонения электронов при прохождении всех трех сеток.  [36]

На рис. 300, а показано устройство одной из часто встречающихся ионных ловушек, в которой электростатическое отклонение ионов создается косой бипотенциальной линзой, образованной в зазоре между электродами 3 и 4, в то время как отклонение электронов в этой линзе компенсируется двукратным отклонением магнитным полем.  [37]

38 Зависимость величины в, от па - КЗК Ука3ьша. ось ранее, раметра нелинейности R влияние нелинейности рас. [38]

При проектировании отражательных клистронов приближенная теория, изложенная в 6 Зг должна быть скорректирована для учета указанных там же влиянии нелинейного изменения потенциала в пространстве резонатор - отражатель, вызванного влиянием объемного заряда и формой электродов, и фазовой аберрации, определяемой отклонением электронов от траекторий, параллельных оси потока. Кроме того, для клистронов с сетками можно учесть влияние конечности размера отверстий между вит ками на величину коэффициента взаимодействия электронного потока с резонатором.  [39]

Эффект Холла заключается в возникновении электрического поля в твердом теле, через которое пропускают ток, при этом перпендикулярно к направлению тока прилагают магнитное поле. Отклонение электронов в магнитном поле создает объемный заряд, что приводит к возникновению электрического поля. Напряженность этого поля направлена перпендикулярно к току и напряженности магнитного поля. Теория определения знака носителя по эффекту Холла требует привлечения квантовой механики.  [40]

41 Измерительная цепь нулевого указателя с магическим глазом ( лампой 6Е5. [41]

Электроны, ударяясь об анод 5, вызывают его флюоресценцию. Отклонение электронов электродом 4 приводит к образованию затененного сектора на экране ( аноде), величина ( раствор) которого определяется потенциалом управляющего электрода.  [42]

Эффект Холла заключается в возникновении электрического поля в твердом теле, через которое пропускают ток, при этом перпендикулярно к направлению тока прилагают магнитное поле. Отклонение электронов в магнитном поле создает объемный заряд, что приводит к возникновению электрического поля. Напряженность этого поля направлена перпендикулярно к току и напряженности магнитного поля. Теория определения знака носителя по эффекту Холла требует привлечения квантовой механики.  [43]

Каково отклонение электрона на экране трубки, если он поступает в пространство между отклоняющими пластинами в тот момент, когда фаза отклоняющего напряжения равна нулю.  [44]

Подвижность носителей заряда в кристаллической - решетке ограничивается рядом факторов, приводящих к отклонению их движения. Эти отклонения электронов называют рассеянием электронов.  [45]



Страницы:      1    2    3    4