Отношение - коэффициент - диффузия
Cтраница 2
Уравнение ( 118) показывает, что отношение коэффициентов диффузии в порах разного размера определяется не только отношением радиусов пор, но и характером поля адсорбционных сил. Поэтому вполне возможна такая ситуация, когда коэффициент диффузии при кнудсеновском механизме переноса не убывает, а возрастает с уменьшением радиуса пор. [16]
Поскольку процесс разделения определяется двумя факторами ( отношение коэффициентов диффузии и отношение коэффициентов растворимости), совместное влияние этих величин может быть значительным даже в случае близких веществ. [17]
Величина а может быть также определена как отношение коэффициента диффузии вращательного броуновского движения к скорости сдвига. [18]
Если молекула нешарообразна, то вводится поправка, учитывающая отношение коэффициентов диффузии шарообразной и непарообразной частиц, движущихся с одинаковыми скоростями. [19]
После подстановки соответствующих величин в уравнение Ван-Деемтера мы получаем, что отношение коэффициентов диффузии равно обратному отношению вязкостен этих двух веществ. [20]
Критерий инерционности развития поля влагосодержания по отношению к полю температур равен отношению коэффициента диффузии влаги к коэффициенту диффузии тепла Lu am / a ( см. подробно гл. [21]
Критерий инерционности развития поля влагосодержания по отношению к полю температур равен отношению коэффициента диффузии влаги к коэффициенту диффузии тепла Lu am / a ( см. подробно гл. [22]
Зд - константа скорости диффузии к поверхности частицы катализатора; D - отношение коэффициента диффузии D к толщине приведенной пленки на границе раздела газ - жидкость; FK - поверхность контакта газовой и жидкой фаз, отнесенная к единице объема жидкой фазы; с0 - концентрация газообразного компонента на границе диффузионного слоя с жидкой фазой. [23]
 |
Зависимость среднего тока от потенциала электрода. [24] |
Из уравнения (4.41) видно, что величина pj / з определяется стандартным потенциалом изучаемой системы р и отношением коэффициентов диффузии DR и DO. Потенциал полуволны обратимой волны не зависит от концентрации реагентов в растворе и характеристик капельного электрода. [25]
Решения уравнения (8.50) очень хорошо отвечают решениям, найденным численно по уравнениям нестационарной диффузии, если параметр у0 оценивать по предложенной выше методике. Влияние отношения коэффициентов диффузии, входящего в это уравнение, неверно, когда уравнение используют в качестве приближения, по-видимому, более справедливой теории проницания; однако влияние отношения концентраций S довольно правильно отражает сущность явления. [26]
 |
Зависимость диффузионного потока q от параметра W.| Зависимость диффузионного потока q от отношения D ID. [27] |
Из рис. 3.3 видно, что диффузионный поток на полимер-мономер-частицу существенно зависит от отношения коэффициентов молекулярной диффузии в водной фазе и частице. При фиксированном отношении коэффициентов диффузии диффузионный поток возрастает по мере увеличения отношения радиуса частицы к радиусу капли. С другой стороны, с уменьшением отношения коэффициентов диффузии D2 / D1 диффузионный поток падает, что свидетельствует о сложном характере переходов реакционной системы из одной области протекания процесса в другую. В ходе полимеризации размер частиц возрастает, а размер капель уменьшается, что приводит к возрастанию внешнего диффузионного потока и переходу системы в кинетическую область. Это свидетельствует об уменьшении диффузионного потока на частицу и о возможности перехода системы в диффузионную область. [28]
Если узким местом является молекулярная диффузия через. С приближенно ранен отношению коэффициентов диффузии микро - и макрокомпонентов в маточном растворе. [29]
Определяющим фактором маскирования является отношение коэффициента диффузии примеси в окисел кремния к коэффициенту диффузии в защищаемый материал. Если это отношение значительно меньше единицы, то ( возможно полное маскирование, если оно больше единицы, маскирования не будет. Для диффузантов, применяемых в современной технологии микросхем ( iP, В, As, Sb), это отношение значительно меньше единицы, и при соответствующей минимальной толщине пленки двуокиси кремния осуществляется полное маскирование полупроводника. [30]
Страницы: 1 2 3