Отношение - напряженность
Cтраница 2
Экранирующее действие экрана определяется отношением напряженности внешнего поля при наличии экрана к напряженности поля без экрана. [16]
Удельное объемное электрическое сопротивление pv характеризуется отношением напряженности электрического поля к плотности тока, проходящего через объем образца полимерного диэлектрика. [17]
 |
Форма ЭМИ наземного ядерного взрыва. [18] |
На рис. 6.3 по оси ординат дано отношение напряженности электрического поля ( Et) для наземного взрыва к максимальной напряженности поля в начальный момент взрыва. Его спад происходит по экспоненциальному закону, подобно импульсу от молниевого разряда, в течение нескольких десятков миллисекунд. [19]
Следовательно, экранирующее действие заземленного троса в отношении напряженности электрического поля будет проявляться только в той части пространства, которая находится ниже центральной линии. Если провода расположены на опоре так, как показано на фиг. Наоборот, если требуется, чтобы напряженность поля в месте положения каждого из проводов линии была минимальной, то можно найти оптимальное положение заземленного троса, которое определяется окружностью наименьшего радиуса, описанной вокруг проводов. [20]
Итак, диэлектрическую проницаемость вещества можно определить как отношение напряженности электрического поля в вакууме к напряженности этого же поля в диэлектрике, если диэлектрик заполняет все пространство, занятое полем. [21]
Удельное поверхностное электрическое сопротивление ( к представляет собой отношение напряженности электрического поля к плотности тока, проходящего по поверхности образца и выражается в Ом. Величина, зависит от состояния поверхности диэлектрика, наличия на пей примесей. [22]
Электромагнитные экраны характеризуются коэффициентом экранирования S -, равным отношению напряженности магнитного поля Hi за экраном к напряженности однородного магнитного поля На перед экраном. [23]
Отношение помеха на выходе приемной антенны определяется в основном отношением напряженностей полей полезного сигнала и помех в месте расположения антенны. Напряженность поля электромагнитной волны уменьшается при удалении от излучающего ее источника. Этот закон справедлив как для полезных сигналов, так и для помех, воспринимаемых через антенну. [24]
ОБЪЕМНОЕ УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ Q - хар-ка материала, определяемая как отношение напряженности алектрич. [25]
ОБЪЕМНОЕ УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ Q - хар-ка материала, определяемая как отношение напряженности электрич. [26]
Электрическая прочность материала характеризуется пробивной прочностью Я р, равной отношению напряженности пробоя к толщине испытываемого диэлектрика. [27]
Относительной диэлектрической проницаемостью или диэлектрической постоянной вещества еотн называют коэффициент, равный отношению напряженности электрического поля в этом веществе к напряженности поля в вакууме. Он показывает, во сколько раз увеличивается емкость конденсатора, если диэлектриком в нем будет данное вещество, а не вакуум. Абсолютная диэлектрическая проницаемость в системе СИ имеет размерность Ф / м ( фарада на метр) и может быть определена как распределенная емкость 1 м3 породы: е s08OTH, где е 10 - 9 / 36л - диэлектрическая проницаемость вакуума. [28]
Физический смысл волнового сопротивления в том, что оно определяет для данной среды отношение напряженности электрического поля к напряженности магнитного поля волны ТЕМ подобно тому, как волновое сопротивление длинной линии определяет отношение напряжения к току бегущей волны в проводах линии. [29]
При оценке качества датчика эдс Холла можно также пользоваться так называемым коэффициентом передачи / с, равным отношению напряженности электрического поля в датчике по осям у и х ( см. рис. 4) при некотором выбранном значении магнитного поля Н ( обычно при ЯЮ3 эрст. [30]
Страницы: 1 2 3 4