Отпирание - транзистор
Cтраница 3
Стадия регенерации начинается отпиранием транзистора Т2 после чего в течение некоторого времени оказываются открытыми оба транзистора. Поскольку в открытом состоянии входные сопротивления малы, можно считать, что на стадии регенерации приращения коллекторных токов / 1 ( 1 и / Ь2 почти полностью идут через конденсаторы С в базы смежных транзисторов. [31]
Заканчивается прямой блокинг-процесс полным отпиранием транзистора и переходом его в режим насыщения. [32]
Этой задержки достаточно для отпирания транзистора TI и установки триггера в начальное положение. [33]
 |
Упрощенная схема элемента времени максимального реле тока с зависимой время-токовой характеристикой типа Т-306 ( а и диаграммы г его работы ( б-г. [34] |
Назначением этих импульсов является надежное кратковременное отпирание транзистора Т1, для которого отпирающий ток от функционального преобразователя слишком мал. [35]
Затем происходит лавинообразный процесс отпирания транзистора V2 и запираниг транзистора VI. В таком состоянии схема находится в течение времени Т2, после чего возвращается к первоначальному состоянию. [36]
Следовательно, ускоряя процесс отпирания транзистора и уменьшая длительность положительного фронта, ускоряющая емкость одновременно увеличивает длительность отрицательного фронта импульса t ( ом. Величина ускоряющих емкостей обычно выбирается из условия получения одинаковых длительностей положительного и отрицательного фронтов импульса. [37]
 |
Изменение напряжений на транзисторе в течение третьего интервала процесса отпирания. [38] |
Таким образом, процесс отпирания транзистора при однополярном управлении от источника тока может быть разбит на три интервала, отличающихся друг от друга преобладающим влиянием тех или иных физических процессов в транзисторе. [39]
Колебания, возникающие при отпирании транзистора, накладываются на уже имеющиеся в контуре, поэтому результирующие колебания будут во Многом определяться остаточными колебаниями предыдущей серии. [40]
Таким образом, при отпирании транзистора переходный процесс на внешних зажимах ключа ( промежуток эмиттер - коллектор) заканчивается значительно раньше, чем процесс установления напряжения на переходах транзистора. [41]
Для уменьшения влияния непостоянства напряжения отпирания транзисторов 7 и Т2 в каждый мост могут включаться последовательно с конденсатором два компенсирующих кремниевых диода. [42]
При некотором напряжении на эмиттере происходят отпирание транзистора и быстрое нарастание тока через базу. [43]
Причиной этого может явиться наличие порога отпирания транзистора, а также отсутствие гальванической связи между каскадами. В результате этого, например, мультивибратор с коллекторно-базовыми мостовыми связями может находиться в устойчивом состоянии, при котором оба транзистора закрыты. Следствием этого является жесткая характеристика его возбуждения и необходимость начального возмущения для развития автоколебаний. [44]
 |
Схема фантастрона с времязадающим мостовым элементом. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5