Отпирание - транзистор
Cтраница 4
Источники небольшого напряжения Е ускоряют процесс отпирания транзисторов после отпирания диодов моста. [46]
Этап физической задержки оканчивается в момент отпирания транзистора Т, составляющего р-п-р-п структуру. [47]
Если какое-либо возмущение приводит к началу отпирания транзистора Г2 или запиранию транзистора Гь то может произойти регенеративный процесс, который закончится сменой состояний: Т2 - отпирается, Т - закроется. [48]
Зарядный ток конденсатора увеличивает k5 при отпирании транзистора, а накопленная в конденсаторе энергия форсирует запирающий ток базы транзистора. При использовании данной схемы часто требуется введение дополнительного резистора Ня ( разделение базового резистора на две части) для исключения колебательного характера изменения тока базы при заряде конденсатора через индуктивность рассеяния входного трансформатора. Параметры элементов цепочки требуется подбирать таким образом, чтобы при открытом состоянии транзистора конденсатор почти полностью зарядился, а при закрытом состоянии транзистора разряд конденсатора был незначителен. [49]
Задержка, примерно 0 4 с, отпирания транзистора V21 после замыкания контактов прерывателя необходима для устранения влияния дребезга контактов прерывателя после их замыкания. [50]
Усилители мощности УМ1 - УМЗ осуществляют задержку отпирания включающегося транзистора с целью устранения сквозных токов и форсируют запирание выключающегося транзистора за счет подачи увеличенного отрицательного напряжения на его эмиттер-базовый переход. Кроме того, за 5 - 10 мкс до выключения с дополнительных выходов усилителей подаются импульсы тока в коллектор-базовые переходы транзисторов силовых ключей, которые выводят их на границу режима насыщения. Этими мерами достигается максимальное быстродействие переключения и стабилизации динамических параметров транзисторов при изменении тока нагрузки и условий окружающей среды. [51]
Некоторая задержка ( примерно 0 4 мс) отпирания транзистора Т2 после замыкания контактов прерывателя необходима для устранения влияния дребезга контактов после их замыкания. На рис. 2 дребезг контактов показан в виде одного короткого импульса, следующего сразу же после замыкания контактов. [52]
Источник смещения Е в базовой цепи действует на отпирание транзистора, поэтому по мере заряда конденсатора потенциал базы изменяется монотонно, достигая напряжения открытия транзистора, в результате чего обеспечивается автоколебательный режим. Рассмотрим все стадии формирования импульса. [53]
Величина амплитуды запускающего импульса должна быть достаточной для отпирания транзистора Ть так чтобы выполнялось условие развития лавинообразного процесса. [54]
Некоторая задержка ( примерно 0 4 мс) отпирания транзистора Кб после замыкания контактов прерывателя необходима для устранения влияния дребезга контактов после их замыкания. На рис. 18 дребезг контактов показан в виде одного короткого импульса, следующего сразу же после замыкания контактов. Как видно из рисунка, этот импульс на состояние транзисторов V5, V6 не влияет, тиристор V7 поэтому остается включенным, и паразитный импульс к управляющему электроду коммутирующего тиристора V18 не проходит. [55]
Конденсатор 6С2 разряжается через резистор 6R3 до момента отпирания транзистора 6VTI, при котором происходит формирование обратного хода кадровой развертки. [56]
 |
Схема мультивибратора на однотипных дрейфовых транзисторах с эмиттерной вре-мязадающей RC-цепью и блокирующими элементами.| Схема мультивибратора на однотипных транзисторах с эмиттерньщ время. [57] |
Основная нестабильность такого мультивибратора определяется температурной зависимостью напряжений отпирания транзисторов. [58]
 |
Влияние температуры на параметры транзистора Г0 [ Л. 34 ]. переходного процесса при запирании транзи - Влияние внешних СО. [59] |
Оба этих фактора заметно снижают амплитуду выброса при отпирании транзистора. I, при изменении емкости, шунтирующей промежуток эмиттер - коллектор кремниевого сплавного транзистора от 15 до 200 пф при / 90 - 1000 ком амплитуда выброса снижается в среднем с 200 до 40 мв как при отпирании, так и при запирании транзистора. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5