Отражение - излучение
Cтраница 2
Световые потери начинаются прежде всего с отражения излучения от поверхности полупроводника. При этом коэффициент отражения снижается до нескольких процентов. Часть энергии излучения, проникающая в глубь полупроводника, поглощается без образования пары электрон - дырка и тратится на образование основных носителей заряда, экситонов и возбуждение колебаний кристаллической решетки. [16]
Рассмотрим основные соотношения, характеризующие процесс отражения излучения от поверхности, когда излучение падает на поверхность со всех направлений s ( г з, б) в пределах полусферы, а не в одном направлении, как это рассматривали выше. [17]
Приведенная степень черноты зависит от характера отражения излучения и геометрической формы поверхностей. [18]
Поэтому конструкция светильников должна исключать возможность отражения излучения лампы ДНаТ на ее горелку. [19]
 |
Зависимость выходной мощности фотоэлемента от величины последовательного сопротивления. [20] |
Световые потери прежде всего связаны с отражением излучения от поверхности полупроводника. При этом коэффициент отражения снижается до нескольких процентов. Часть энергии излучения, проникающего в глубь полупроводника, поглощается без образования пары электрон-дырка и тратится на возбуждение основных носителей заряда, образование экситонов и нагрев кристаллической решетки. [21]
В волоконно-оптических датчиках ВОБР работают в режиме отражения излучения. [22]
В случае более ДВ-язлучения дифракция происходит при отражении излучения от поверхности кристалла, в случае К В-из л учения - прн его прохождении черев кристалл. В первом случае отражающие атомные плоскости должны быть расположены вдоль, во втором - перлендихуллрно - поверхности кристалла. [23]
При прохождении оптического излучения через какую-либо среду происходит отражение излучения на границе двух сред, поглощение и рассеяние излучения в среде. [24]
Существенное влияние на спектральную характеристику чувствительности элементов оказывает отражение излучения от металлического слоя. При указанной толщине пленки золота минимум коэффициента отражения и максимум на кривой спектральной чувствительности соответствуют длине волны света - 0 5 мкм. При использовании просветляющего покрытия форма кривой значительно изменяется. Коэффициент собирания носителей заряда в коротковолновой части спектра выше, чем в длинноволновой, что свидетельствует о низкой концентрации рекомбинационных центров в области перехода и о малой диффузионной длине носителей внутри пленки CdSe. [25]
 |
Облученность плоскости через однорядный пучок труб, при различном расстоянии между осями ( точки отвечают измеренной облученности. кривая - вычисленной облученности. [26] |
В ряде случаев задача об облученности поверхностей осложняется влиянием отражения излучения от других поверхностей. [27]
 |
Схема ослабителя на поляризующем действии четвертьволновой пластинки. [28] |
Широко применяется класс френелевских ослабителей, построенных на явлении отражения излучения ОК. На рис. 57 показан ослабитель для инфракрасной области спектра. [29]
 |
Схема измерительного устройства с радиоактивными изотопами для контроля толщины ленты. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5