Интегральное отражение
Cтраница 2
При малых значениях величины А, пропорциональной толщине кристалла t, наблюдается монотонное возрастание интегрального отражения, что находится в согласии с кинематической теорией. [16]
Ширина такой кривой характеризует угловую область отражения данного кристалла, а площадь под кривой пропорциональна интегральному отражению от кристалла. [17]
При рассеянии в прозрачном кристалле переход к я-колеба-ниям в плоскости отражения приводит к уменьшению коэффициента отражения и интегрального отражения, однако эти параметры имеют тот же порядок величины, что и для а-колебаний. Это непосредственно следует, например, из формул (3.82) для интегрального отражения. [18]
Близость этих величин свидетельствует о том, что при отражении рентгеновских лучей от почти совершенных кристаллов значение интегрального отражения слабо зависит от степени отклонения от идеальной структуры. [19]
Еще более отчетливо качественный характер экспериментальных доказательств справедливости динамической теории выражен в исследованиях полуширины максимумов отражений и величин интегрального отражения. [20]
Во-вторых, как было показано рядом авторов, главным образом применительно к дифракции электронов при многоволновом рассеянии закон Фриделя для интегральных отражений не выполняется при рассеянии как в прозрачном, так и в поглощающем кристалле. [21]
 |
Сравнительная интенсивность отражения от монокристалла А1. [22] |
Хотя коэффициент отражения R ( &) для идеального кристалла равен единице, что намного больше, чем для идеально-мозаичного кристалла, интегральное отражение последнего значительно интенсивнее, так как для идеального кристалла ширина области отражения на 1 - 2 порядка меньше, чем для идеально мозаичного. [23]
С другой стороны, сложный характер зависимости Щ от таких параметров, как X r и % hi, делает мало эффективным не только их экспериментальное определение измерением интегральных отражений, но также и точную и однозначную проверку теории. [24]
Сопоставляя результаты кинематического и динамического рассмотрения рассеяния рентгеновских лучей в кристаллах, исследователи в период времени между двумя войнами сводят различия между ними к двум пунктам: в направлениях и угловой ширине дифрагированных пучков и в величинах интегрального отражения. Что касается геометрии интерференции, то в течение указанного периода было выполнено значительное число работ, посвященных отклонению от формулы Вульфа - Брэгга; измерениям коэффициента преломления методами, перенесенными из оптики видимого света; определению универсальных констант, таких, как заряд электрона; абсолютному определению длин волн и других величин. [25]
В нем собраны основные сведения о наиболее распространенных монокристаллах и многослойных молекулярных структурах, нашедших применение в MP-диапазоне. Приведены экспериментальные дифракционные характеристики: интегральное отражение, полуширина и коэффициент отражения в максимуме для области длин волн 1 - 10 нм. [26]
Как следует из формул (4.167) и (4.169), интегральные отражения для прошедшей волны Т i и отношение Q Ti / Rt в случае симметричного двухволнового отражения являются функциями толщины кристалла. [27]
При рассеянии в прозрачном кристалле переход к я-колеба-ниям в плоскости отражения приводит к уменьшению коэффициента отражения и интегрального отражения, однако эти параметры имеют тот же порядок величины, что и для а-колебаний. Это непосредственно следует, например, из формул (3.82) для интегрального отражения. [28]
 |
Кривые отражения от поглощающего кристалла, отвечающие различным значениям параметров g и х. [29] |
Заметим, что формы максимума при хл О и Kh C 0 для данного значения Kh % hi / Xhr являются зеркально симметричными относительно оси ординат. Как можно видеть из приведенных кривых, возрастание х приводит к усилению асимметрии максимума, в то время как увеличение g - к уменьшению площади максимума или интегрального отражения. При значениях х 0 1 ч - 0 2 и - 0 3 один ( левый) край асимметричного максимума сохраняется неизменным по отношению к дарвиновской кривой. Эта особенность кривых отражения в случае поглощающего кристалла может быть объяснена на основе анализа волнового поля в кристалле. Ранее было показано, что относительное расположение плоскостей узлов и пучностей волнового поля, с одной стороны, и атомных плоскостей, с другой, различно в областях 1иШ, плавно меняется от одного до другого края в области полного отражения. Соответственно с перемещением узловых плоскостей при возрастании у эффект поглощения усиливается и остальная часть максимума обнаруживает характерный спад коэффициентов отражения. [30]
Страницы: 1 2 3