Кривое отражение

Cтраница 1

Кривые отражения, полученные для всех соединений с двумя донорэноидными системами в твердом виде, дают возможность получить представление об относительной глубине видимой окраски: относительное расположение кривых отражения полностью соответствует порядку изменения видимой окраски, наблюдаемому визуально. [1]

Исследование кривых отражения обнаруживает, что при с С ОД нет отличия от кривой для совершенного кристалла. При с - 0 01 кривые имеют со стороны ycg О осциллирующий хвост, убывающий в среднем как ехр ( - 4 gy / c), в то время как часть кривой, заключенная в интервале от - 1 до1, остается практически неизменной. Если с 1, главный максимум уменьшается и смещается вправо ( ycg 0), между тем как хвост вытягивается, давая широкую и сильно сплющенную кривую отражения. [2]

Плазменный край, наблюдаемый в спектрах отражения InSb n - типа при комнатной температуре. Сплошные кривые - подгонка отражения, вычисленного с помощью и ( 6, к экспериментальным точкам. [3]

В результате кривые отражения легированных полупроводников могут иметь очень резкий плазменный край. [4]

Схема трехкристального спектрометра. [5]

Это свойство кривых отражения, снятых в схеме ( п п), также имеет принципиальное значение для последующего, хотя и не может быть использовано в рассматриваемой схеме двухкристального спектрометра из-за сильного эффекта дисперсии. [6]

Я) и кривые отражения оригиналов, на основании которых при сравнении с кривыми отражения эталонных окрашиваний делают заключение об идентичности полученных компонентов пигмента. [7]

Результаты определения прозрачности пленок, окрашенных кадмиевыми пигментами. [8]

На спектрофотометре снимают кривые отражения пленок, помещенных на черную и белую бумагу. [9]

Кривые отражения красной пленки над черно-белой основой. [10]

На рис. 1.29 приведены кривые отражения двух тонких пластмассовых пленок, окрашенных разными красными пигментами с неодинаковыми размерами частиц, нанесенных кэшированием на черно-белый контрастный картон. [11]

Часто наблюдающаяся тонкая структура кривых отражения в интервале длин волн между двумя рассматриваемыми полосами свидетельствует о том, что между областями с резко различающимися составами лежат области силикатов промежуточного состава. [12]

На рис. 6 и 7 приведены соответствующие кривые отражения. [13]

Толщину кристалла можно найти приблизительно из почти кинематических кривых отражений [ см. (9.5) ] для слабых далеких пучков. Тогда значение толщины становится параметром в вычислениях и уточняется вместе со структурными амплитудами, до тех пор пока оно не будет определяться с точностью, возможно, 5А при толщине кристалла 1000 А. [14]

Причина ею заключается в различии полуширин кривых отражения для s - и - поляризованного излучения. На рис. 3.21 показана зависимость степени поляризации от угла падения после отражения первично неполяризованного пучка от МИС интерференционного типа. [15]

Страницы: 1 2 3 4