Отсутствие - поглощение
Cтраница 1
 |
ИК-спектр циклогексанона. [1] |
Отсутствие поглощения при 1380 см 1 исключает метильную, этиль-ную, изопропильную и игрет-бутильную группы. [2]
 |
Схема для расче. [3] |
Отсутствие поглощений при бурении, подъем цементно - бенто - нитового раствора до устья и полное отсутствие проявлений в межколонных пространствах скв. [4]
Отсутствие поглощения при 0 эв является доказательством того, что группы NO, Br и циклопентадиенильные лиганды дают тонкие структуры, которые накладываются друг на друга таким образом, что область тонкой структуры полностью исчезает. [5]
 |
Коэффициенты распределения D Th в растворах азотной кислоты на смолах АО 50W различной степени поперечного связывания. [6] |
Отсутствие поглощения тория в солянокислой среде позволяет отделить его от урана, протактиния и многих других металлов. [7]
Отсутствие поглощения ультрафиолетовых лучей ведет к полной светостойкости материала. [8]
Отсутствие поглощения ионов металлов в кислых средах используется для отмывки поверхности силикагелей кислотами. [9]
Однако отсутствие поглощения в области 1550 - 1650 см 1, характерного для двойной связи, исключает такую структуру. Одинаковое строение глицидной кислоты и ее этилового эфира подтверждается сходством ИК-спектров этих соединений. Значительное отличие ИК-спектра натриевой соли от спектра самой кислоты и ее эфира зависит, по-видимому, не от изомеризации, а от изменения полярного характера карбоксильной группы. УФ-Спектры полученных соединений также подтверждают их глицидное строение. Так, в спектре глицидной кислоты, снятом в метанольном растворе, имеются три максимума - при 428, 240 и 209 ммк. [10]
В отсутствие поглощения ( 0) это уравнение, как и должно быть, сводится к волновому уравнению со скоростью распространения волн, равной с / УЬС с. Равенство LC 1 следует из математической эквивалентности задач об определении 1 / С и L при заданной форме контуров. Электрическое и магнитное поля между поверхностями идеальных проводников перпендикулярны по направлению и равны по величине ( см. ( 91 11)), причем значение последней на самих поверхностях определяет в первом случае плотность зарядов, а во втором случае - плотность токов. Поэтому совпадают и коэффициенты пропорциональности ( 1 / С и L) между энергией поля и квадратами соответственно заряда или тока. [11]
В отсутствие поглощения может быть определена, как было показано в § 80, электромагнитная внутренняя энергия единицы объема тела. [12]
В отсутствие поглощения матрица М эрмитова. Для центро-симметричной структуры она действительная и симметричная. [13]
В отсутствие поглощения оптимальная фокусировка реализуется при zp Zir и фокальная плоскость находится в центре кристалла. [14]
В отсутствие поглощения ( 0) это уравнение, как и должно быть, сводится к волновому уравнению со скоростью распространения волн, равной с / УЬС с. Равенство LC 1 следует из математической эквивалентности задач об определении 1 / С и L при заданной форме контуров. Электрическое и магнитное поля между поверхностями идеальных проводников перпендикулярны по направлению и равны по величине ( см. ( 91 11)), причем значение последней на самих поверхностях определяет в первом случае плотность зарядов, а во втором случае - плотность токов. Поэтому совпадают и коэффициенты пропорциональности ( 1 / С и L) между энергией поля и квадратами соответственно заряда или тока. [15]
Страницы: 1 2 3 4