Отсутствие - поглощение
Cтраница 3
Недостатком метода является обязательное отсутствие поглощения индивидуальных ( исходных) веществ на используемом участке спектра. [31]
Важное практическое значение имеет отсутствие поглощения ионов Ва2 и Sr2 анионообменниками в ОН-форме. [32]
Наименьшее пусковое давление при отсутствии поглощений будет при центральной системе, больше при двухрядном подъемнике, и самое большое давление требуется при однорядном подъемнике кольцевой системы. [33]
В идеальных условиях при отсутствии поглощения энергии в контуре процесс был бы незатухающим, однако практически это никогда не бывает, так как Частично энергия расходуется на выделение тепла, вследствие наличия в контуре активного сопротивления. В результате этих потерь вышеописанный процесс всегда постепенно затухает до тех пор, пока вновь не будет получен импульс энергии извне. [34]
На основании ИК-спектров было показано отсутствие поглощения свободной ОН-группы в комплексных соединениях никеля и довольно интенсивные полосы поглощения этих групп у соответствующих свободных а-диоксимов. [35]
Характерной особенностью подобных объектов является отсутствие поглощения в видимой области спектра. [36]
Для спектров пентаметилциклопентадиенильных производных характерно отсутствие поглощения в областях 800 - 840 и 3100 - 3110 см-1, что, естественно, объясняется отсутствием атомов водорода, непосредственно связанных с циклопентадиенильным кольцом. Для этих веществ характерно также поглощение в области 1070 - 1080 см 1, при наличии в молекуле этоксигруппы эта полоса закрывается более интенсивными полосами поглощения в этой же области, обусловленными связями Ti-О - R. [37]
 |
Схема фотоэлектронного умножителя.| К пояснению фотоэлектронной эмиссии полупроводника. [38] |
При 1емлературе абсолютного нуля в отсутствие поглощения фотонов валентная зона полностью заполнена электронами, зона проводимости свободна. При повышении температуры часть электронов переходит в зону проводимости. Вместе с дырками в валентной зоне, образованными за счет потери электронов, они обусловливают собственную проводимость. Часть электронов при температурах, отличных от О К, может выйти за пределы полупроводника. Это явление называется термоэлектронной эмиссией. [39]
Это означает, что при отсутствии поглощения и излучения по пути интенсивность от сколь угодно удаленного источника та же, что и в непосредственной близости к нему. Объяснение такого парадоксального на первый взгляд факта заключается в том, что интенсивность рассчитывается на единицу телесного угла. Однако и телесный угол, под которым виден источник, уменьшается точно так же. [40]
Толщина пластинки не играет роли в отсутствие поглощения. При облучении монокристалла кремния на длине волны 2 мкм получаем при 9 293 К величины S % - 2 10 - 4 К 1, Si ж 0 3 в отраженном свете и Si - 0 25 в проходящем свете. Таким образом, и в данном случае имеется ослабление температурных изменений показателя преломления. [41]
 |
Распределение интенсивности в проходящем свете в зависимости от порядка интерференции Д / Я. [42] |
Разумеется, этот результат справедлив только в отсутствие поглощения света в зеркалах. [43]
По оптическим свойствам солнцезащитные покрытия должны характеризоваться отсутствием поглощения в видимой области спектра и максимально возможным поглощением в спектральной области солнечной радиации при длинах волн X 0 9 - 2 2 мкм. Обеспечение требуемых спектральных характеристик нередко возможно лишь при введении дополнительных окислов в основной состав пленки. Например, в пленки окиси кобальта могут быть введены окислы никеля, марганца, меди, ванадия, титана, церия, циркония, тория и железа. [44]
Клапаны I и II групп применяются при отсутствии поглощений в скважине, но при возможной активизации напорных горизонтов. Клапаны I группы используют в вертикальных скважинах, II - в наклонных. [45]
Страницы: 1 2 3 4