Cтраница 2
Нижний тонкий порядка нескольких десятков или сотен нанометров слой предназначен для создания адгезии между подложкой и расположенным поверх него толстым: ( 102 - 104 нм) слоем хорошо проводящего металла ( Си, Ag, Аи, А1), но неустойчивого против коррозии. Многослойные композиции покрываются сверху обычно никелем или другим устойчн-чивым к воздействию внешней агрессивной среды пленочным материалом. Контакты к пленочным резисторам [52-54] часто делаются двухслойными: верхний слой предназначен для термокомпресснонно-го соединения, а нижний обеспечивает связь с материалом резистора. Для резистора нз нихрома используется подслой хрома. Для резисторов из силицида хрома ( SijCr) или силицида молибдена ( MoSi2) подслоем служит пленка молибдена толщиной 50 нм, создающая хорошую адгезию. Для резисторов из нитрида тантала используются многослойные пленочные композиции: Ti-Аи, NiCr-Аи, NiCr-Pd - Аи, NiCr-Си - Pd-Аи н др. Специфика материаловедения многослойных пленочных систем требует отсутствия взаимной диффузии слоев материалов. Поперечной диффузии свойственны характерные закономерности, связанные с высокой концентрацией избыточных вакансий, возникающей в свежесконден-сированиой пленке и обусловливающей интенсивную диффузию в начальной стадии. Последняя характеризуется запаздыванием в образовании интерметаллическнх соединений. Интенсивность этой стадии зависит от скорости рассасывания первоначальной неравновесной концентрации вакансий до равновесного значения. Если время жизни избыточных вакансий достаточно велико н они достаточно долго задерживаются в объеме блоков-кристаллитов ( прежде чем коагулировать в диски, микропоры, выйти на поверхности нлн осесть на линейный, плоских и объемных дефектах), то происходит нитенснвиая диффузия. [16]