Cтраница 3
Работа, которую необходимо совершить для перевода электрона из твердого или жидкого тела в вакуум, называется работой выхода А. Она затрачивается на преодоление сил кулоновского притяжения избыточного положительного заряда, оставшегося в веществе после выхода электрона, и сил отталкивания со стороны ранее вылетевших электронов. Работа выхода зависит от вида вещества и состояния его поверхности. [31]
Схема образования энер - Заполнение электронами МО. [32] |
При небольшом числе взаимодействующих атомов для перевода электрона с какого-либо энергетического уровня на ближайший более высокий уровень необходима затрата сравнительно большой энергии. [33]
Схема образования энсрге - Заполнение электронами МО. [34] |
При небольшом числе взаимодействующих атомов для перевода электрона с какого-либо энергетического уровня на ближайший более высокий уровень необходима затрата сравнительно большой энергии. Но при большом числе атомов N ( в макроскопическом кристалле / / имеет порядок числа Авогадро) соседние уровни настолько мало различаются, что образуется практически непрерывная энерге тическая зона, и переход электрона на ближайший более высокий уровень может осуществиться при затрате ничтожно малой энергии. [35]
Схема образования энерге - Заполнение электронами МО. [36] |
При небольшом числе взаимодействующих атомов для перевода электрона с какого-либо энергетического уровня на ближайший более высокий уровень необходима затрата сравнительно большой энергии. Но при большом числе атомов N ( в макроскопическом кристалле N имеет порядок числа Авогадро) соседние уровни настолько мало различаются, что образуется практически непрерывная энергетическая зона, и переход электрона на ближайший более высокий уровень может осуществиться при затрате ничтожно малой энергии. [37]
Если механизм поглощения света заключается в переводе электронов из нормальной полосы в полосу возбуждения, то красная граница фотоэффекта должна соответствовать ширине запрещенной зоны между этими уровнями, а температурный коэффициент электропроводности - половине расстояния мещду ними. [38]
Если механизм поглощения света заключается в переводе электронов из нормальной полосы в полосу возбуждения, то красная граница фотоэффекта должна соответствовать ширине запрещенной зоны между этими уровнями, а температурный коэффициент электропроводности - половине расстояния между ними. [39]
Конструкция фоторезисторов.| Схема включения фоторезистора. [40] |
При освещении фоторезистора энергия фотонов расходуется на перевод электронов в зону проводимости. [41]
Зонная схема собственной проводимости полупроводника. [42] |
Как мы видели, в полупроводниках для перевода электронов из валентной зоны в зону проводимости требуется сравнительно небольшая энергия. При этом за счет поглощения кванта энергии ( путем нагревания или освещения) связь, обусловливаемая парой электронов, разрывается. [43]
Энергетические схемы полупроводника с экситонными ( а и поляронными ( б уровнями. [44] |
Поэтому наименьшая тепловая энергия, необходимая для перевода электрона из заполненной полосы в свободную, в отличие от энергии, затрачиваемой на оптический переход, всегда равна ширине запретной зоны. [45]