Cтраница 4
Виды вентильных фотоэлементов. [46] |
Если энергия hv фотона достаточна только для перевода электрона из заполненной или зоны с локального уровня полупроводника ( или диэлектрика) в свободную зону ( зона проводимости), электропроводность вещества увеличивается. Это увеличение проводимости создается добавочными электронами, попавшими в зону проводимости вследствие увеличения их энергии в результате поглощения энергии квантов излучения [113]; оно называется фотопроводимостью. Внутренний фотоэффект [2494] не связан с эмиссией электронов, которые остаются и движутся внутри полупроводника. [47]
Во втором случае достаточно произвольно малой энергии для перевода электрона из высшего занятого в соседнее свободное состояние в той же полосе. При этом возникнут электрический ток и поток энергии. Это и есть металл. [48]
Бочвар и Станкевич рассчитали энергию, необходимую для перевода электрона с высшего заполненного уровня на ближайший свободный уровень молекулы, который в принципе может служить молекулярным уровнем проводимости. Оказалось, что с ростом числа л-злектронов в цепи сопряжения при переходе от структуры 1 к структуре 3 эта энергия снижается с 0 27 эв до нуля, что свидетельствует о значительном облегчении процесса зарождения электронов проводимости. [49]
Величина W интерпретируется как мера энергии, требуемой для перевода электрона с уровня Ферми на вершину любого потенциального барьера, который возможен для данной поверхности. [50]
Здесь р - энергия, которую нужно затратить для перевода электронов вещества в следующую энергетическую полосу металла. Поэтому ширина Крг-полосы должна увеличиваться с температурой. [51]
При существовании между атомами двойной связи энергия, необходимая для перевода электронов, образующих тг-связь, на более высокий энергетический уровень, меньше энергии, необходимой для возбуждения электронов, образующих а-связь. Например, для перевода этилена СН2СН2 в возбужденное состояние достаточна энергия приблизительно 150 ккал / моль, что соответствует поглощению в области длин волн около 190 ммк. [52]
При существовании между атомами двойной связи энергия, необходимая для перевода электронов, образующих тс-связь, на более высокий энергетический уровень, меньше энергии, необходимой для возбуждения электронов, образующих а-связь. Например, для перевода этилена СН2СН2 в возбужденное состояние достаточна энергия приблизительно 150 ккал / моль, что соответствует поглощению в области длин волн около 190 ммк. [53]
Во многих случаях оказалось, что энергия, необходимая для перевода электрона с донорного уровня в зону проводимости, настолько мала, что при комнатных температурах все электроны примеси находятся уже в зоне проводимости. Если к тому же концентрация доноров намного превышает концентрацию собственных электронов, то количество носителей тока почти перестает зависеть от температуры, и изменение электропроводности с температурой в этих условиях определяется в основном лишь температурной зависимостью подвижности ( см. гл. В этой области температур подвижность, как правило, убывает с ростом температуры. Этим, кстати, объясняется рост сопротивления металлов с температурой, так как в металлах число носителей тока также постоянно. Таким образом, сопротивление сильно примесного полупроводника га-типа может увеличиваться с ростом температуры, пока концентрация собственных электронов не начнет преобладать над концентрацией примеси. Начиная с этих температур, сопротивление будет падать по экспоненциальному закону, который считается характерным для полупроводников. Аналогичные соображения применимы и к случаю полупроводника р-типа. [54]