Перегрев - кристалл
Cтраница 2
В инструменте с высокой точностью поддерживается температура, чтобы исключить перегрев кристалла в микрокорпусе. [16]
Наиболее универсальным видом защиты является тепловая защита, автоматически отключающая СН при перегреве кристалла независимо от причины перегрева. В качестве термочувствительных элементов используются транзисторы, расположенные непосредственно вблизи регулирующих транзисторов. Пока температура кристалла меньше критической, транзисторы схемы защиты закрыты и не влияют на работу СН. При этом выходной ток уменьшается до тех пор, пока температура кристалла не уменьшится. [17]
Наиболее универсальным видом защиты является тепловая защита, автоматически отключающая СН при перегреве кристалла независимо от причины перегрева. В качестве термочувствительных элементов используются транзисторы, расположенные непосредственно вблизи регулирующих транзисторов. Пока температура кристалла меньше критической, транзисторы схемы защиты закрыты и не влияют на работу СН. При этом выходной ток уменьшается до тех пор. [18]
Как показывают расчеты, в типовых режимах работы тиристоров учет влияния обратного тока на перегрев кристалла приводит к необходимости снижения / Пр имп макс всего лишь на несколько процентов. [19]
Повышение температуры полупроводниковых приборов и, в частности, диодов сверх допустимой приводит к перегреву кристалла и связанному с ним изменению параметров приборов в ходе времени. Среди них наиболее существенное значение имеет снижение пробивного напряжения. [20]
Ипперс и Хендус [-110] показали, что при дозе облучения выше 30 М происходит некоторый перегрев кристаллов при быстром плавлении. Экстре полированная к нулевой скорости нагревания температура плавления образца, облученного дозой 300 Мрад, составляет 120 С. [21]
В микросхеме предусмотрена защита от короткого замыкания и перегрузки по току, а также от перегрева кристалла. [22]
Эта температура и представляет собой температуру плавления или кристаллизации в условиях, исключающих возможность переохлаждения жидкости или перегрева кристалла. [23]
При комнатных температурах непрерывный режим в инжекционных лазерах требует для его осуществления больших плотностей тока, ведущих к недопустимому перегреву кристалла. Длина волны излучения лазера на GaAs лежит в пределах Ял 0 82 - ьО 9 мкм. При токах накачки, незначительно превышающих пороговую величину, лазер излучает колебания одного типа ( одномодовый режим); с увеличением тока появляется излучение колебаний других типов. [24]
Однако и здесь, как и при экстраполяции Т из зависимости 7ТПП от Гкр, существует проблема устранения отжига и перегрева кристаллов при нагревании. [25]
При исследовании образцов, вытянутых в 5 раз и прокатанных до уменьшения толщины на 30 %, не было обнаружено перегрева кристаллов и заметного влияния напряженных проходных молекул, по-видимому, вследствие небольших скоростей деформирования и высокого содержания аморфной фракции. При увеличении температуры отжипа появлялся дополнительный второй пик плавления при более низких температурах, который был обусловлен плавлением более совершенных кристаллов, образовавшихся при отжиге. Более совершенные кристаллы перестраиваются в меньшей степени при последующем нагревании в процессе термического анализа и поэтому плавятся при более низкой температуре, чем непрерывно перестраивающиеся исходные кристаллы. При увеличении температуры отжига увеличивается доля расплавленного полимера, который кристаллизуется только при охлаждении, что приводит к возникновению популяции менее совершенных кристаллов при постоянных условиях кристаллизации. Плавление этих кристаллов является причиной появления третьего эндотермического пика. Пойнт и др. [185], а также Поуп и Келлер [187] показали, что плавление при повторном нагревании таких более мелких кристаллов, образовавшихся при охлаждении, приводит к изменению периодичности в расположении наслоенных друг на друга кристаллических ламе-лей. Это в свою очередь может быть объяснением наблюдаемого обратимого изменения величины рентгенографического большого периода при нагревании и охлаждении ниже температуры отжига ( разд. Справедливость такого объяснения была подтверждена Поупом [ 186] путем подавления перестройки и исключения возможности повторного складывания цепей после облучения образцов перед их плавлением ( разд. При плавлении образцов полиэтилена высокой плотности наблюдаются подобные эффекты, но в меньшей степени. По-видимому, влияние напряженных проходных молекул в этом случаз становится преобладающим. [26]
 |
Усредненные для многих генераторов Ганна зависимости генерируемой СВЧ-мощности от частоты при непрерывной работе ( 7 и при работе в импульсном режиме ( 2. [27] |
Срок службы генераторов Ганна относительно мал, что связано с одновременным воздействием на кристалл полупроводника таких факторов, как сильное электрическое поле и перегрев кристалла из-за выделяющейся в нем мощности. [28]
 |
Фазовая диаграмма полиэтилена. Кривые построены на основании экспериментальных данных Дэвидсона. [29] |
Поскольку измерения проводили при скорости нагревания 0 5 - 6 град / мин, экспериментальные точки лежат несколько выше равновесных температур плавления вследствие некоторого перегрева кристаллов. [30]
Страницы: 1 2 3 4