Перегрев - кристалл
Cтраница 3
Мощность, потребляемая МДП-транзисторами, в несколько раз меньше, чем мощность биполярных транзисторов, что позволяет размес-гать в одном кристалле больше элементов без опасности перегрева кристалла. [31]
Неправильные режимы эксплуатации и применения могут привести к появлению дефектов в микросхемах, проявляющихся в нарушении герметичности корпуса, травлении материала покрытия корпусов и их маркировки, перегреву кристалла и выводов, нарушению внутренних соединений, что может приводить к постепенным и полным отказам микросхем. [32]
Неправильные режимы эксплуатации и применения могут привести к появлению дефектов в микросхемах, проявляющихся в нарушении герметичности корпуса, травлении материала покрытия корпусов и их маркировки, перегреву кристалла и выводов, нарушению внутренних соединений, что может приводить к постепенным и полным отказам микросхем. [33]
Неправильные режимы эксплуатации и применения могут привести к появлению дефектов в микросхемах, проявляющихся в нарушении герметичности корпуса, травлении материала покрытия корпусов и их маркировки, перегреву кристалла и выводов, нарушению внутренних соединений, что может приводить ч постепенным и полным отказам микросхем. [34]
Неправильные режимы эксплуатации и применения могут привести к появлению дефектов в микросхемах, проявляющихся в нарушении герметичности корпуса, травлении материала покрытия корпусов и их маркировки, перегреву кристалла и выводов, нарушению внутренних соединений, что может приводить к постепенным и полным отказам микросхем. [35]
Неправильные режимы эксплуатации и применения могут привести к появлению дефектов в микросхемах, проявляющихся в нарушении герметичности корпуса, травлении материала покрытия корпусов и их маркировки, перегреву кристалла и выводов, нарушению внутренних соединений, что может приводить к постепенным и полным отказам микросхем. [36]
Неправильные режимы эксплуатации и применения могут привести к появлению дефектов в микросхемах, проявляющихся в нарушении герметичности корпуса, травлении материала по крытия корпусов и их маркировки, перегреву кристалла и выводов, нарушению внутренних соединений, что может приводить к постепенным и полным отказам микросхем. [37]
 |
Изотермическое плавление кристаллов из вытянутых цепей полиэтилена при различных степенях перегрева [ 8б ]. [38] |
Однако Иллерс [ ЮЗ ] показал, что травление азотной кислотой, приводящее к удалению остающихся складок цепей, проходных молекул-и выступающих петель цепей, все же влияет на перегрев кристаллов из вытянутых цепей. [39]
 |
Устройство лачера на твердом теле. [40] |
Так как лампы накачки имеют широкий частотный спектр, то для получения достаточной для возбуждения энергии и в узкой полосе поглощения кристалла приходится увеличивать мощность возбуждения, что приводит к перегреву кристалла. [41]
Максимально допустимый ток анода / прзап, при протекании которого еще возможно выключение тиристора по цепи управления, ограничен явлением пробоя перехода / з ( см. § 2.8) или перегревом кристалла в процессе запирания прибора. Последний фактор является определяющим, когда тиристор работает при повышенных значениях напряжения питания и температуры окружающей среды. [42]
Микросхемы представляют собой мощные стабилизаторы напряжения с фиксированными выходными напряжениями положительной полярности 20, 24 и 27 В и токами нагрузки Т и 1 5 А Имеют защиту от перегрузок по току и от перегрева кристалла Содержат 39 интегральных элементов. [43]
Микросхемы представляют собой мощные стабилизаторы напряжения с фиксированными выходными напряжениями положительной полярности 20, 24 и 27 В и токами нагрузки 1 и 1 5 А Имеют защиту от перегрузок по току и от перегрева кристалла Содержат 39 интегральных элементов. [44]
Особенности ИС: характеристики обратной связи позволяют защитить от перегрузок внешние компоненты; защита при работе в условиях короткого замыкамия; автоматическое выключение при снижении сетевого напряжения ниже допустимого; система мягкого старта при запуске; защита от перегрева кристалла; внутрисхемная защита от ложного запуска. [45]
Страницы: 1 2 3 4