Перегрев - переход
Cтраница 1
 |
Графики зависимости 0 6 максимальной температуры перегрева контактных соединений от длительности одиночного разогре - 0 4 вающего импульса. [1] |
Перегрев перехода / з при протекании тока Ьбр складывается из двух составляющих. [2]
 |
Конструкция диода ( а, ВАХ теплового ( б и лавинно-тепло-вого ( в проб-оя. [3] |
Перегрев р-п перехода & Т - Т / - Г0 в стационарном режиме пропорционален мощности Рвыд. [4]
Тепловой пробой возникает из-за перегрева р-п перехода или отдельного его участка. При этом происходит интенсивная генерация пар электрон - дырка и, следовательно, увеличивается обратный ток, что ведет к увеличению мощности, выделяющейся в р-п переходе, и дальнейшему его разогреву. Этот процесс, также лавинообразный, завершается расплавлением перегретого участка р-п перехода и выходом прибора из строя. [5]
Тепловой пробой диода возникает вследствие перегрева перехода проходящим через него током при недостаточном теплоотводе, не обеспечивающем устойчивость теплового режима перехода. [6]
 |
Крепление триода на радиаторе. / - радиатор. 2 - триод.| Крепление мощного полупроводникового диода. [7] |
При несоблюдении этого требования при пайке может произойти перегрев перехода, что приведет к выходу триода из строя. [8]
 |
Перегрев эмит.| Распределение количества отказавших транзисторов. [9] |
Таким образом, с помощью термолюминофоров удается регистрировать перегревы переходов мощных транзисторов диодов и проводить разбраковку их по степени локализации мощности. [10]
 |
Крепление маломощных полупроводниковых триодов.| Крепление триода на радиаторе.| Крепление мощного полупроводникового диода. [11] |
Несоблюдение этого требования может привести при пайке к перегреву перехода и выходу триода из строя. [12]
Таким образом, - величина предельно допустимой мощности и перегрев перехода связаны с тепловыми характеристиками полупроводникового прибора. Превышение температуры перехода ведет к необратимым процессам в структуре перехода. [13]
Для проверки теоретических результатов экспериментально на 20 приборах была снята зависимость температуры перегрева р-п перехода от длительности импульса, при постоянной рассеиваемой мощности. По полученным данным для каждого экземпляра прибора была найдена, так же как и при расчете, зависимость мощности от длительности импульса. [14]
Дефекты в кристаллической структуре полупроводника хорошо выявляются при совмещении электрической и термической нагрузок в режиме большого тока, вызывающем перегревы р-п перехода в местах дислокации, что в свою очередь может привести к эффекту шнурования тока и прожиганию р-п перехода. [15]
Страницы: 1 2