Cтраница 2
Выбор золота в качестве контактного металла определялся тем соображением, что эвтектика германий-золото имеет низкую температуру плавления, а это позволяет избегать перегрева р-п переходов. Золото обладает высокой электропроводностью, а при легировании им германия выступает как акцептор. Для того чтобы усилить акцепторные свойства золота, к нему добавляют 1 % галлия. Это обеспечивает получение сильно легированного материала в месте контакта и уменьшает сопротивление растекания. Диаметр золотой проволочки должен быть достаточно малым, иначе невозможно точно установить контакт относительно границ базового слоя. Учитывая необходимую механическую прочность электрода, применяют проволочку - 0 05 мм. [16]
Во-вторых, переход / з дополнительно разогревается теплом, распространяющимся от перехода 1, где выделяется основная мощность при протекании тока г обр - Дополнительную составляющую перегрева перехода / з можно определить по методу, изложенному выше при оценке перегрева контактов. [17]
Стабильный уровень напряжения пробоя при объемном его характере обусловлен тем, что при малейЩем повышении напряжения в данном микроканале ( что связано с увеличением тока в нем до некоторого предела) возникают новые микроканалы. Это обеспечивает возможность значительного повышения импульса тока при перенапряжениях без перегрева перехода, при котором стал бы возможным тепловой пробой. [18]
Несмотря на сравнительно небольшую рассеиваемую мощность, которая присуща подавляющему числу современных полупроводниковых приборов, из-за малых габаритов последних удельная рассеиваемая мощность может быть достаточно велика. Если не принять специальных мер по отводу тепла от прибора, то перегрев р-п перехода приводит либо к отказу прибора, либо к резкому снижению его долговечности. [19]
Следовательно, возможен такой ход расчета. При этом целесообразно использовать значения Ijmax, Uymax, соответствующие наибольшей температуре перегрева переходов и отвечающие наиболее интенсивной работе усилителя. [20]
Следовательно, возможен такой ход расчета. При этом целесообразно использовать значения / утах, Uymax, соответствующие наибольшей температуре перегрева переходов и отвечающие наиболее интенсивной работе усилителя. Далее определяем минимально необходимое и максимально допустимое значения ЭДС управления или графически по диаграмме управления ( как на рис. 11.22), что предпочтительней, или аналитически; еу. [21]
Следовательно, возможен такой ход расчета. При этом целесообразно использовать значения 1утах, U У max, соответствующие наибольшей температуре перегрева переходов и отвечающие наиболее интенсивной работе усилителя. Далее определяем минимально необходимое и максимально допустимое значения ЭДС управления или графически по диаграмме управления ( как на рис. 11.22), что предпочтительней, или аналитически; еу. [22]
Диоды, рассчитанные на небольшую мощность ( 25 мВт), или с большой площадью р-л-перехода ( например, точечные) при работе в зоне - сильных электромагнитных полей, могут поглощать значительную долю энергии поля, что способствует ухудшению их параметров или приводит к перегоранию диода. Энергия, проходящая через эту емкость, складываясь с энергией, нормально проходящей через диод, может привести к перегреву перехода и его разрушению. Поэтому диоды, находящиеся в зоне ВЧ полей, необходимо экранировать. [23]
Следует иметь в виду, что ухудшение параметров ППП и даже отказы ППП могут быть связаны с нарушением условий нормальной теплоотдачи из-за низкого качества невыпрямляющих контактов и с нарушениями условий устойчивой работы приборов. Ухудшение условий нормальной теплоотдачи из-за недостаточной чистоты и точности обработки теплоотводящей поверхности или плохой смачиваемости припоем поверхности кристалла ( повышение теплового сопротивления) ведет к перегреву перехода даже при относительно небольших рассеиваемых мощностях и может повлечь за собой необратимый тепловой пробой. Поэтому для приборов повышенной мощности обязательно производится непосредственная или косвенная проверка величины теплового сопротивления, что позволяет отбраковать дефектные приборы, обладающие чрезмерно большим его значением. [24]
Величина максимального импульсного тока коллектора при периодической последовательности импульсов ограничивается предельной допустимой рассеиваемой мощностью. В зависимости от скважности периодически следующих импульсов нагрев перехода транзистора будет различен. Следовательно, величина перегрева р-п перехода транзистора будет зависеть от соотношения длительности импульса ти и тепловой постоянной переход - корпус транзистора тп. [25]
Кремниевые стабилитроны работают в необычном для полупроводниковых приборов режиме пробоя. У кремниевый диод при некотором достаточно большом значении напряжения, приложенном в запирающем направлении, начинает проводить. Если это происходит в обычном выпрямителе, где не прлнято никаких мер к ограничению обратного тока через диод, последний быстро выходит из строя из-за перегрева р-п перехода. Однако, если мощность, рассеиваемая р-п переходом, не превышает допустимой, диод сохраняет работоспособность. Величина напряжения, при котором происходит пробой, зависит от толщины р-п перехода. [26]
Общими требованиями к кремниевым полупроводниковым приборам установлена максимально допустимая температура корпуса приборов Ткмлкс 130 С. Считая, что мощность выделяется в диоде лишь в прямой полупериод ( при невысоких частотах), и приняв за типичное значение величины теплового сопротивления диода ТПк3 5 С / бг, нетрудно вычислить, что диоды допускают перегрев перехода над максимально допустимой температурой корпуса на 20 С и способны в таком режиме выпрямлять ток / Пр3 а ср. [27]
Исследуется распределение тока и мощности по коллекторному перекоду в стационарном и импульсных режимах. Показано, что в импульсных режимах создается огромная кумуляция тока и мощности в определенных участках коллекторного перехода. С учетом кумуляции мощности решается сначала задача о максимальной температуре, достигаемой в транзисторе под действием одиночного импульса. Используя результаты, полученные для реакции температуры на одиночный импульс, решается общая задача о перегреве перехода под действием импульсов произвольной длительности и скважности. Теория доведена до инженерного расчета, для которого построены специальные графики и номограммы. Путь расчета проиллюстрирован на типичном примере. [28]
Области теплового пробоя соответствует на рис. 3 - 2 участок ВГ. Тепловой пробой необратим, так как он сопровождается разрушением вещества в месте и - р-перехода. Причиной теплового пробоя является нарушение устойчивости теплового режима п - р-перехода. Это означает, что количество теплоты, выделяющейся в переходе от нагрева его обратным током, превышает количество теплоты, отводимой от перехода. В результате температура перехода возрастает, сопротивление его уменьшается и ток увеличивается. Наступает перегрев перехода и его тепловое разрушение. [29]