Большинство - диод
Cтраница 2
При температуре ниже 253 К и малых обратных напряжениях большинство диодов практически не пропускает тока. Лишь при напряжениях, близких к максимально допустимым для данного диода, появляется обратный то, составляющий доли микроампера. [16]
Максимальная длительность полочки определяется эффективным временем жизни неосновных носителей и у большинства диодов, используемых в стробоскопических осциллографах, не превышает нескольких десятков наносекунд. Однако для обеспечения требуемой амплитуды стробимпульса ( единицы вольт) необходимо подать запирающее напряжение соответствующей величины; перепад этого напряжения вызовет импульс обратного тока с амплитудой до 0 5 - 1 А, а ток такой величины рассасывает накопленный заряд за время 1 - 2 не. [17]
Значение крутизны, обычно измеряемой на наиболее крутом участке характеристики, для большинства диодов лежит в пределах от одного до нескольких миллиампер на вольт. [18]
Поэтому в ближайшее время мала вероятность полной замены кремния на другой полупроводниковый материал при производстве большинства диодов, биполярных транзисторов и интегральных микросхем. Для такой замены необходимы существенные преимущества в свойствах, параметрах и характеристиках приборов, а также в экономичности производства этих приборов. Среди них есть материалы с большой шириной запрещенной зоны ( по сравнению с кремнием) и отличающиеся также большей подвижностью носителей заряда. Это, в первую очередь, относится к арсениду галлия. [19]
Процесс рассасывания накопленных носителей происходит значительно медленнее процесса их накопления, поэтому именно процесс рассасывания и определяет частотные свойства большинства диодов. [21]
Для точечных сварных германиевых диодов зависимость C3 ( U) выражается формулой Сэ s Сцо / У 1 - A U a Для плоскостных кремниевых диффузионных диодов Сэ Сэ0 / / 1 - АИ, где А 2 - - 3 для большинства диодов. [22]
Обратный ток в этом случае резко увеличивается, что вызывает разогрев диода, дальнейший рост тока и, наконец, электрический пробой ( разрушение) p - n - перехода. Большинство диодов может надежно работать при обратных напряжениях, не превышающих 0 7 - 0 8 от пробивного напряжения. [23]
Для уменьшения нелинейных искажений сигнала при детектировании характеристика диода должна быть линейной, начиная с малых напряжений. У большинства диодов начальный нелинейный участок характеристики составляет примерно 0 5 в. Этой величиной ограничивается минимальная допустимая амплитуда вч напряжения на входе детектора. [24]
 |
Зависимость параметров детекторных диодов от тока положительного смещения. [25] |
Такого же характера зависимости имеют место и для других типов смесительных диодов. Для большинства диодов оптимальная мощность гетеродина лежит в пределах 0 4 - 1 мвт. [26]
 |
Печатные платы электронного блока конденсаторной контактной системы зажигания для автомобилей, у которых с корпусом соединен минус ( а и плюс ( б аккумуляторной батареи. [27] |
Диоды Д - Д4 перед постановкой в электронный блок следует проверить. На практике большинство диодов Д226Б удовлетворяют этому требованию. [28]
Диодом называют электропреобразовательный прибор, который, как правило, содержит один или несколько электрических переходов и два вывода для подключения к внешней цепи. Принцип работы большинства диодов основан на использовании физических явлений в электрическом переходе. Наиболее часто в диодах применяются электронно-дырочный переход, контакт металл - полупроводник, гетеропереход. [29]
Толщина р-г-перехода значительно больше, а высота потенциального барьера ниже, чем у р-гс-пере-хода. Материал базы большинства диодов обычно имеет высокое удельное сопротивление, и структура переходов таких диодов близка к p - f - типу. [30]
Страницы: 1 2 3