Большинство - диод
Cтраница 3
Величина Л позволяет рассматривать двухэлектродную лампу как некоторое сопротивление при протекающем через нее переменном токе. Внутреннее сопротивление большинства диодов лежит в пределах от нескольких десятков ом до килоом. [31]
Сортировка диодов по классам производится при выпуске их из производства. В соответствии с такой закономерностью большинство диодов входит в средние классы и минимальное их количество - в высокие классы. Это сказывается на стоимости диодов, поэтому при выборе класса диодов необходимо не просто стремиться к наиболее высокому их классу, а учитывать степень экономической оправданности применения того, либо иного класса приборов в данной установке. [32]
После первых 200 часов наблюдалось значительное отклонение величины контролируемого параметра от его первоначального значения. За последующие 200 часов величина контролируемого параметра для большинства диодов, стабилизировалась, но была значительно ниже допустимой. [33]
 |
Анодная характеристика диода. [34] |
На начальном участке анодной характеристики наличие тока обусловлено тем, что часть электронов, вылетающих из нагретого катода, имеет начальные скорости, достаточные для преодоления тормозящего поля анода, и может достичь анода. Эти электроны и создают в цепи анода начальный ток, величина которого для большинства диодов не превышает сотых долей миллиампера. [35]
 |
Вольт-амперная характеристика диода Д7Ж при различных температурах. [36] |
Пробивное напряжение зависит от температуры диода. Характер этой зависимости определяется параметрами полупроводникового материала, из которого изготовлен диод, и его конструкцией. Однако для большинства диодов с увеличением температуры пробой наступает при меньших напряжениях. Причем для высоковольтных диодов эта зависимость проявляется сильнее. [37]
 |
Применение стабилитрона для стабилизации. [38] |
Выпрямительные диоды надежно работают во всем диапазоне возможных для устройств противокоррозионной защиты температур. Диоды, как правило, соединяют с другими элементами схем управления пайкой. Необходимо особенно тщательно следить за тем, чтобы не перегреть диод. Время пайки для большинства диодов не должно превышать 3 сек, место пайки выбирают не ближе 12 мм от корпуса диода. Вывод диода изгибают на расстоянии не менее 3 мм от корпуса. При монтаже диода в схемах не рекомендуется прикладывать к нему больших усилий. [39]
С увеличением температуры прямой ток диода возрастает, так как при этом увеличивается число основных носителей, способных преодолеть потенциальный барьер. Но при больших прямых токах основную роль начинает играть проводимость полупроводника кристалла ( проводимость базы), которая в интервале обычных рабочих температур уменьшается с увеличением температуры ( см. рис. 1 - 11 6, кривая 2), что приводит к снижению прямого тока при фиксированном значении U. Поэтому характеристики прямой ветви для различных температур пересекаются в некоторой точке. Однако эта точка у большинства диодов лежит далеко за пределами возможных прямых напряжений и токов. [40]
 |
Влияние температуры на вольт-амперную характеристику германиевого диода.| Влияние температуры на. [41] |
С увеличением температуры прямой ток диода также увеличивается. Это следует из выражения (2.11), у которого перед фигурными скобками стоит множитель / 0, возрастающий с увеличением температуры. Но при больших прямых токах основную роль начинает играть проводимость полупроводника кристалла ( проводимость базы), которая в интервале рабочих температур уменьшается с увеличением температуры ( см. рис. 1.9, кривая /), что приводит к снижению прямого тока при фиксированном значении Unv-Поэтому характеристики прямой ветви должны пересечься в некоторой точке. Однако эта точка у большинства диодов лежит далеко за пределами возможных прямых напряжений и токов. [42]
Действительно, связанный на поверхности заряд образует вокруг себя электрическое поле, которое распространяется и в глубь полупроводника. Под действием этого поля происходит перемещение подвижных носителей заряда в объеме полупроводника: отрицательный заряд на поверхности отталкивает электроны в глубь кристалла, положительный - притягивает их к поверхности. Под поверхностью образуется объемный заряд, равный по величине, но противоположный по знаку заряду, связанному на поверхности. Так как концентрация подвижных, носителей заряда в полупроводниках, применяемых для изготовления транзисторов и большинства диодов, не велика, то толщина слоя объемного заряда получается значительной. [43]
При подаче на полупроводниковый диод обратного напряжения через него будет проходить незначительный обратный ток, образованный движением неосновных носителей. При обратном напряжении свыше допустимого значения происходит пробой полупроводникового диода. Туннельный пробой может наступить в германиевом диоде при напряженности поля порядка 2 - Ю5 В / см, в кремниевом - 4 - Ю5 В / см. Обратный ток при этом увеличивается ( после точки В), что вызывает разогрев диода, дальнейший рост тока и электрический пробой р-и-перехода. Большинство диодов надежно работают при обратных напряжениях, не превышающих 0 7 - 0 8 пробивного напряжения. [44]
Диоды, используемые в электрических устройствах для преобразования переменного тока в ток одной полярности, называют выпрямительными. По вольт-амперной характеристике ( ВАХ) ( рис. 1) видно, что значения прямого и обратного токов отличаются на несколько порядков, а прямое падение напряжения не превышает единиц вольт по сравнению с обратным напряжением, которое может составлять сотни и более волы. Поэтому диоды обладают односторонней проводимостью, что позволяет использовать их в качестве выпрямительных элементов. Из рисунка также следует, что с ростом температуры обратный ток возрастает. У большинства диодов этот ток при температуре 125 С может увеличиваться на 2 - 3 порядка по сравнению с током при 25 С. [45]
Страницы: 1 2 3