Большинство - полупроводниковый материал
Cтраница 1
Большинство полупроводниковых материалов ( кремний, германий, арсенид и фосфид галлия) получают в виде цилиндрических монокристаллических слитков неправильной формы, размеры которых для кремния могут достигать в диаметре 150 мм и иметь длину 1000 мм и более. [1]
Большинство полупроводниковых материалов не изменяется под действием неокисляющих травителей. В состав травителей обычно включаются: 1) растворитель - среда для образования гомогенного травителя; 2) окислители, которые должны образовать окислы или другие продукты окисления на поверхности полупроводника ( повысить степень окисления); 3) комплексообразователи, которые должны растворить образовавшийся продукт окисления, удалить его с поверхности; 4) ускорители или замедлители первых двух реакций, если последние протекают с такой скоростью, что ими трудно управлять; 5) специальные добавки, обусловливающие селективность действия травителя. [2]
Стоимость большинства полупроводниковых материалов ( в том числе и кремния) значительно превышает стоимость золота. [3]
Однако в большинстве полупроводниковых материалов преобладающей является непрямая рекомбинация, которая происходит при участии различных дефектов решетки кристалла. Последние носят название центров рекомбинации, если носитель, захваченный таким центром, имеет большую вероятность реком-бинировать с носителем другого знака, чем снова вернуться в ближайшую зону. [4]
Управление структурно-чувствительными свойствами большинства полупроводниковых материалов осуществляется путем введения в их решетку небольших количеств определенным образом выбранных примесей. При этом образуется твердый раствор. [5]
Полученные выражения справедливы для большинства полупроводниковых материалов, так как ширина запрещенной зоны обычно больше 10 кТ ( для германия около 30 кТ), а содержание примесей берется не настолько большим, чтобы уровень Ферми оказался ближе чем на 3 кТ от края зоны. [6]
 |
Фотосопротпв-1 - светочув-слой, 2 - ме-таллич. электроды, 3 - диэлектрич. подложка. [7] |
Ag), однако у большинства полупроводниковых материалов этот эффект мал и его практически невозможно использовать. Изменение проводимости о полупроводника при освещении определяется ф-лой: Дсг ef ( и пт - f - ipTp), где е - заряд электрона, / - число электронно-дырочных пар, генерируемых в сек в ед. [8]
Для лазерного скрайбирования стекла и большинства полупроводниковых материалов используются ИАГ-лазеры свободной генерации и лазеры на азоте. Вследствие более высокой поглощающей способности керамики на длине волны 10 6 мкм для скрайбирования керамических пластин более эффективны СО2 - лазеры. [9]
Для монокристаллов карбида кремния в отличие от большинства полупроводниковых материалов характерно расположение малоугловых границ под углом 120, что соответствует наличию оси симметрии VI порядка в плоскости ( 0001) и часто свидетельствует о происходящем процессе полигонизации. [10]
Для монокристаллов карбида кремния в отличие от большинства полупроводниковых материалов характерно расположение малоугловых границ под углом 120, что соответствует наличию оси симметрии VI порядка в плоскости ( 0001) и часто свидетельствует о происходящем процессе полигонизации. [11]
Нетрудно убедиться, что это соотношение не выполняется для большинства полупроводниковых материалов. В связи с этим необходимо рассматривать поглощение света на свободных носителях, как квантовый процесс. [12]
При а 3 - 10 - 4 кал / см2 - сек-град для большинства полупроводниковых материалов это соотношение выполняется. [13]
Твердые тела, наиболее часто применяемые в термоэлектричестве, имеют кристаллическую структуру, свойственную не только металлам, но и большинству полупроводниковых материалов. [14]
При производстве микросхем и микросборок совершенно неприменимы обычные методы монтажа, пайки и сварки, используемые при производстве функциональных узлов и микромодулей, так как большинство полупроводниковых материалов и диэлектрических подложек из керамики и стекла обладают низкой теплопроводностью, узкой зоной пластичности и малой сопротивляемостью к воздействию термических и механических напряжений. [15]
Страницы: 1 2