Большинство - полупроводниковый материал
Cтраница 2
 |
Номинальные статические характеристики преобразования платиновых термопреобразователей сопротивления. [16] |
Кроме металлов для изготовления термометров сопротивления применяют также полупроводниковые материалы: германий, окислы меди, марганца, кобальта, магния, титана и их смеси. Большинство полупроводниковых материалов обладает большим отрицательным температурным коэффициентом сопротивления и также очень большим удельным сопротивлением. [17]
Помимо оптических систем рассматривается также возможность использования инфракрасной техники. Поскольку большинство полупроводниковых материалов прозрачно для инфракрасных лучей, а металлы ( контакты на кристалле и на подложке) инфракрасные лучи не пропускают, последние, будучи преобразованы в видимую часть спектра, позволяют наблюдать в инфракрасный микроскоп картину, обеспечивающую надежное совмещение. [18]
Следует отметить, что продукты ряда промежуточных химических реакций являются довольно сложными соединениями. Для большинства полупроводниковых материалов реакции пиролиза изучены слабо и требуют более детального исследования, поскольку они влияют на качество и степень чистоты осаждаемых пленок. [19]
Химическое травление полупроводников основано на окислении поверхности травителем и последующем удалении образовавшихся продуктов. Неокисляющие травители на большинство полупроводниковых материалов не действуют. В состав травителей обычно включают: 1) растворитель ( среда для образования гомогенной системы); 2) окислители, которые образуют окислы или другие продукты окисления на поверхности полупроводника; 3) комплексо-образователи, которые растворяют продукт окисления и удаляют его с поверхности; 4) ускорители или замедлители первых двух реакций, если они протекают с такой скоростью, что ими трудно управлять; 5) специальные добавки, сообщающие травителю селективные свойства. [20]
В основе ионного травления лежит бомбардировка образца ионами газов, например азота или кислорода. Процесс обеспечивает необходимую скорость удаления материала и применим к большинству полупроводниковых материалов. Для обеспечения постоянства скорости травления необходима стабильность источника ионов. Основной недостаток метода состоит в том, что на поверхности образца в результате бомбардировки быстро образуется разрушенный слой. Однако потенциальная универсальность метода в сочетании с удобством и большой скоростью проведения измерений делает его перспективным для более широкого использования. [21]
За счет энергии падающего на кристалл света происходит также возбуждение примесных атомов. Для определения минимальной частоты, начиная с которой происходит такое возбуждение, в формулу ( 125) вместо ширины запрещенной зоны следует подставить значение энергии активации данной примеси. При этом очевидно, что примесное поглощение происходит при более низких частотах, чем собственное. Ясно также, что в результате возбуждения примесных атомов образуются не два носителя заряда, как это было при собственном поглощении, а один носитель и один ионизованный атом примеси. Заметим, что поскольку при обычных температурах легирующие примеси в большинстве полупроводниковых материалов практически полностью ионизованы, то поглощение света этими примесями возможно только при очень низкой температуре. Поэтому при обычных температурах примесное поглощение происходит в основном за счет ионизации ловушек, лежащих в средней части запрещенной зоны. Это явление часто наблюдается на практике, причем освещение полупроводника, в котором имеются уровни прилипания, приводит к существенному уменьшению скорости процесса генерации - рекомбинации. [22]
Страницы: 1 2