Перекрывание - электронное облако
Cтраница 2
 |
Форма ( схематическое изображение и взаимное расположение гибридных sp - электронных облаков атома бериллия ( для каждой гибридной ор-битали отдельно.| Схема образования химических. [16] |
Области перекрывания электронных облаков заштрихованы. [17]
Полнота перекрывания электронных облаков зависит от их формы и направления. При других равных условиях более прочная связь образуется при перекрывании р-обла-ков и гибридных электронных облаков, ибо они более вытянуты в сторону перекрывания, чем s - облака. Но эффект перекрывания в основном зависит от направления. Наивысший эффект перекрывания и, следовательно, наиболее прочная химическая связь образуются в тех случаях, когда перекрывание электронных облаков происходит по линии, соединяющей оба ядра атомов. В этих случаях образуется о-связь. Если же из-за соответствующей направленности электронных облаков их перекрывание происходит вне линии, соединяющей ядра обоих атомов, тогда образуется п-связь, например в молекулах этилена и ацетилена. [18]
 |
Образование катиона гндро-ксония. [19] |
Степень перекрывания электронных облаков в случае cr - связи значительно превосходит перекрывание при л-связи. Поэтому о-связь обычно оказывается более прочной, чем л-связь. [20]
 |
Схема образования химических. [21] |
Области перекрывания электронных облаков заштрихованы. [22]
При перекрывании электронных облаков вдоль линии соединения атомов образуется о-связь. [23]
 |
Изменения электронной плотности. [24] |
При перекрывании электронных облаков, представляемых 2 / J-AO, может быть шесть МО. [25]
При перекрывании электронных облаков возникает близко действующее отталкивание и, кроме того, может образоваться химическая связь. [26]
Представление о перекрывании электронных облаков соседних атомов и обменном направленном взаимодействии двух электронов с антипараллельными спинами и составляет основу современной теории строения молекул. [27]
Представление о перекрывании электронных облаков соседних атомов и обменном направленном взаимодействии двух электронов с антипараллельными спинами составляют основу современной теории строения молекул. [28]
Тогда становится возможным перекрывание электронных облаков ( точнее волновых функций) неспаренных электронов, в результата которого между атомами создается зона повышенной электронной плотности, обусловливающая химическую связь. Очевидно, если а атоме имеется п неспаренных электронов, то - этот атом может образовать химические связи с м, другими атомами, имеющими по одному неспаренному электрону. Поэтому, согласно представлениям Гейтлера и Лондона, валентность элемента равна числу неспа ренных электронов, которые имеются в его атоме. Таким образом, квантовомеханические расчеты Гейтлера и Лондона дали теоретическое обоснование предположению о том, что химическая связь обусловлена парой электронов. [29]
 |
Схема образования химических связей в результате перекрывания электронных облаков. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5