Перемагничивание - пленка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Формула Мэрфи из "Силы негативного мышления": оптимист не может быть приятно удивлен. Законы Мерфи (еще...)

Перемагничивание - пленка

Cтраница 1


Перемагничивание пленки может осуществляться за время порядка нескольких наносекунд. При этом каждое из магнитных пятен имеет однодоменную структуру как по толщине, так и по поверхности пленки.  [1]

2 Элемент на тонкой магнитной пленке. [2]

Практически перемагничивание пленок когерентным вращением осуществляется полями, параллельными плоскости пленки и направленными под углом к легкой оси. Пример элемента такой конструкции приведен на рис. 3 - 15, а, где направление Р - N соответствует направлению оси легкого намагничивания; проводник ( шина) / - разрядная шина, по которой подается записываемая информация ( О или 1); шина 2 - числовая шина, по которой подается управляющий сигнал на считывание или запись; шина 3 - выходная, с которой снимается считанная информация.  [3]

4 Элемент на тонкой магнитной пленке. [4]

Практически перемагничивание пленок когерентным вращением осуществляется полями, параллельными плоскости пленки и направленными под углом к легкой оси. Пример элемента такой конструкции приведен на рис. 3 - 15, а, где направление Р - N соответствует направлению оси легкого намагничивания; проводник ( шина) / - разрядная шина, по которой подается записываемая информация ( нуль или единица); шина 2 - числовая шина, по которой подается управляющий сигнал на считывание или запись; шина 3 - выходная, с которой снимается считанная информация.  [5]

6 Области перемагничивания тонкой пленки. [6]

Скорость перемагничивания пленки за счет смещения границ происходит относительно медленно и составляет единицы микросекунд.  [7]

Размагничивание или перемагничивание пленок представляет собой движение доменных стенок.  [8]

Размагничивание или перемагничивание пленки может быть представлено как движение доменных границ. Надежность хранения информации в первом приближении определяется величиной порогового магнитного поля, при котором начинается движение доменной стенки. Эта величина зависит от коэрцитивной силы Нс: увеличение Яс повышает надежность хранения информации. Для записи требуется поле, направленное по оси легкого намагничения и создаваемое разряд ным током / в, обеспечивающим необратимое вращение вектора намагниченности по отношению к оси анизотропии. В результате обеспечиваются менее инерционная, чем в случае магнитных сердечников, запись и считывание информации. Существенное значение имеют следующие - параметры магнитных пленок: Bs - индукция насыщения, влияющая на величину выходного сигнала поля анизотропии Як, от которого зависят величины токов считывания и записи; Яс - коэрцитивная сила, влияющая на характеристики деградации намагниченности.  [9]

Всего существует три способа перемагничивания пленок: когерентным ( однородным) вращением, некогерентным ( неоднородным) вращением и смещением границ. Название способов характеризует преобладающее влияние того или иного процесса при перемагничивании. Так, при первом способе пленка перемагничивается однородно, при этом смещение границ играет весьма незначительную роль. И наоборот, третий способ характерен преобладанием процесса смещения границ доменов, что приближает этот способ к пере-магничиванию объемных ферромагнетиков. В среднем это время соответствует: когерентному вращению - несколько наносекунд, некогерентному вращению - 0 1 - 0 01 мксек, смещению границ - около 1 мксек.  [10]

Всего существует три способа перемагничивания пленок: когерентным ( однородным) вращением, некогерентным ( неоднородным) вращением и смещением границ. Название способов характеризует преобладающее влияние того или иного процесса при перемагничивании. Так, при первом способе пленка перемагничивается однородно, при этом смещение границ играет весьма незначительную роль.  [11]

Для оценки эффективности режима сползания с целью его практического применения А.С. Абрамовым был исследован макет феррозонда на пермаллоевой ТМП при перемагничивании пленки по направлению легкого намагничивания и одновременном приложении высокочастотного поля / вч 100 кГц вдоль трудного направления.  [12]

Таким образом, при протягивании пленки мимо зазора записывающей головки на ней создается магнитный рисунок, соответствующий тем звуковым сигналам, которые принимает микрофон. Для качественной записи необходимо, очевидно, чтобы время перемагничивания пленки было в несколько раз меньше времени воздействия на нее магнитного поля, а зависимость намагничивания от поля являлась линейной. Указанными свойствами обладают магнитомягкие материалы. Мы видим, что различные функции, которые должна выполнять магнитная пленка, предъявляют противоположные требования к ее материалу. Поэтому оптимизация свойств пленки представляет собой сложную техническую задачу.  [13]

Запоминающие устройства на тонких магнитных пленках имеют ряд преимуществ через ЗУ на ферритовых сердечниках, что обусловило интенсивное проведение работ по их созданию. К таким преимуществам, в частности, относятся следующие: - перемагничивание пленок требует гораздо меньшей энергии, чем сердечников; трудоемкая операция нанизывания отдельных сердечников заменяется напылением одновременно большого числа ячеек со всеми необходимыми шинами и соединениями; использование когерентного вращения вектора намагниченности в однодоменных по толщине пленках позволяет заметно увеличить быстродействие ЗУ.  [14]

15 Характер процесса перемагничивания одноосной ферромагнитной пленки двумя полями, направленными параллельно ( II и перпендикулярно ( - L оси легкого намагничивания. [15]



Страницы:      1    2