Cтраница 2
Теоретически скорость переключения идеальных одноосных магнитных пленок в 100 - 1000 раз превосходит скорость перемагничивания ленточных и ферритовых сердечников, происходящего в основном за счет смещения границ дрменов. На практике такие преимущества в скорости переключения нереализуемы, так как для этого требуются весьма крутые фронты перемагничивающих токов, и перемагничивание пленки из-за ее неоднородности происходит частично также путем смещения границ доменов. [16]
Параметры процесса напыления ( вакуум в рабочей зоне, скорость конденсации, скорость протяжки и температура подложек) контролируют непосредственно на установке и корректируют, измеряя Нс, Нк, Вг магнитоупругость TJ ДЯК / ( Д / / /) и пороговые токовые характеристики магнитных элементов. Датчики контроля давления остаточного газа размещают неподалеку от зоны напыления. Увеличение давления свыше 10 - 4 Торр по сравнению с рабочим ( 10 - 5 - 10 - 6 Торр) вызывает окисление пленок, уменьшение же его ниже 10 Торр приводит к росту размеров кристаллитов, что неблагоприятно сказывается на вращательном перемагничивании пленок. Для увеличения Нс может быть использован более глубокий вакуум. Скорость конденсации, которая в известной степени определяет микроструктуру пленок, измеряют непосредственно ионизационным манометром или косвенно по изменению оптической прозрачности контрольных пленок. Толщину пленок контролируют оптическим резистивным ( основан на измерении омического сопротивления пленок) и резонансным методами. Последний является наиболее точным ( 3 %), та1 как при этом используется свойство кристалла кварца изменять ч: готу колебаний при нанесении на его поверхность дополнительной массы материала. [17]
Магнитной пленкой называют слой магнитного вещества, толщина которого соизмерима с размерами доменов монокристалла. В отличие от ферритовых сердечников пленки имеют двумерную геометрию с малым отношением толщины к остальным линейным размерам. Это определяет особенности их свойств по сравнению с другими магнитопровода-ми. Структура пленки, близкой к однодоменной по толщине, обусловливает расположение векторов намагниченности доменов в плоскости пленки. Действие размагничивающего фактор а в плоскости пленки мало по сравнению с действием по нормали и одинаково во всех направлениях при условии однородности ее структуры. Перемагничивание пленки полем, параллельным ее поверхности, может происходить как за счет смещения стенок доменов, так и в результате вращения векторов намагниченности доменов. При условии одновременного ( когерентного) вращения векторов осуществляют перемагничивание в наносе-кундном диапазоне. Необходимые соотношения геометрических размв ров пленочных магнитных элементов обеспечивают возможность работы на высоких частотах ( более 3 - 5 МГц), отсутствие вихревых токов вплоть до СВЧ диапазона и хорошие условия естественного охлаждения. [18]