Перемещение - дырка
Cтраница 1
 |
Характеристика полупроводниковых элементов. [1] |
Перемещение дырок осуществляется со значительно большей инерцией, чем перемещение самих электронов в зоне проводимости. Поэтому электропроводность чистых полупроводников носит в основном электронный характер; эффект дырочной проводимости, эквивалентный проводимости положительными зарядами, выражен слабо. [2]
Перемещение дырок в валентной зоне приводит к таким же последствиям, как и перемещение электронов в полосе проводимости, и используется для разъяснения природы процессов свечения некоторых кристаллофосфоров. [3]
Перемещения дырки - f - или электрона - могут происходить туннельво и на несколько межатомных расстояний без затраты заметной энергии активации. [4]
 |
Расположение энергетических зон примесных полупроводников. [5] |
Перемещение дырок в кристаллической решетке полупроводника от атома к атому, например, под влиянием электрического поля, приводит к образованию электрического тока. В полупроводнике с акцепторными примесями носители электрического тока положительны, поэтому его называют полупроводником р-типа. [6]
 |
Схема образования заполнения дырок в кристалле германия. [7] |
Перемещение дырок подобно перемещению положительных зарядов и называется дырочной электропроводностью. Проводимость, возникающая в результате перемещения дырок, называется дырочной проводимостью, или р-про-водимостью. [8]
 |
Схемы рекомбинации свечений. 1 - е длительным свечением. II-с коротким свечением. III-при облучении квантами с малой энергией. IV-при отсутствии активатора. [9] |
Перемещение дырки связано с последовательным падением электронов валентной зоны на более низкие уровни, занятые дыркой. После достижения дыркой верхнего подуровня валентной зоны происходит рекомбинация дырки с электроном активатора. Сущность рекомбинации состоит в падении электрона активатора с уровня а активатора на дырку. В результате образуется центр свечения. [10]
 |
Получение в кристаллической решетке кремния свободного электрона ( а и дырки ( б. [11] |
Перемещение дырок по кристаллу кремния происходит в связи с перемещением электронов проводимости, подчиняясь тем же зависимостям, как и в случае свободных электронов при пятивалентной примеси. [12]
 |
Схемы рекомбинации свечений. 1-с длительным свечением. Ц - с коротким свечением. III-при облучении квантами с малой энергией. IV-при отсутствии активатора. [13] |
Перемещение дырки связано с последовательным падением электронов валентной зоны на более низкие уровни, занятые дыркой. После достижения дыркой верхнего подуровня валентной зоны происходит рекомбинация дырки с электроном активатора. Сущность рекомбинации состоит в падении электрона активатора с уровня а активатора на дырку. В результате образуется центр свечения. [14]
Процесс перемещения дырок в направлении напряженности внешнего электрического поля, а электронов - в противоположном направлении происходит во всей массе полупроводника. [15]
Страницы: 1 2 3 4