Перемещение - дырка
Cтраница 2
Итак, перемещение дырок происходит в направлении, противоположном движению электронов. [16]
В процессе перемещения дырки от Xi до х2 она много раз сталкивается с кристаллической решеткой. Если электрическое поле ( обратное напряжение) достаточно велико, то энергия дырки за время между столкновениями возрастает настолько, что может оказаться достаточной для разрыва связи в решетке при соударении и, следовательно, для создания дополнительной электронно-дырочной пары при каждом соударении. Дырки, образовавшиеся при столкновениях ( ударной ионизацией), включаются в этот процесс и будут создавать все боль - - ше электронно-дырочных пар. Как видно из фиг. [17]
 |
Схема образования к заполнения дырок в кристалле германия. [18] |
При этом направление перемещения дырок противоположно направлению движения электронов. [19]
 |
Зонная схема образования и перемещения свободного электрона и дырки. [20] |
Проводимость, обусловленная перемещением дырок, получила название дырочной проводимости. [21]
Аналогичным образом можно рассмотреть перемещение дырок из р-области в n - область. [22]
Различие в концентрации носителей вызывает перемещение дырок из объема р-проводимости в объем га-проводимости, а электронов - в обратном направлении. В плоскости соприкосновения объемов образуется тонкий слой с сильно изменяющимися концентрациями носителей, называемый барьерным слоем или р - п-переходом. [23]
Различие в концентрации носителей вызывает перемещение дырок из объема р-проводимости в объем n - проводимости, а электронов - в обратном направлении. [24]
Электропроводимость, возникающая в результате перемещения дырок в полупроводнике, называется дырочной проводимостью. [25]
Образующиеся объемные заряды нейтрализуются в результате перемещения дырок, электронов и ионов серебра в поле этих зарядов. Движение электронных носителей может привести только к рекомбинации. Однако ионы серебра, диффундирующие к внутренним поверхностям, нейтрализуют объемный заряд, образуя атомы серебра на границе раздела. Следовательно, эффективность образования внутреннего скрытого изображения будет определяться соотношением между скоростью поглощения фотонов и скоростью, с которой объемные заряды, созданные путем захвата дырок электронов, могут нейтрализоваться в результате перемещения дефектов решетки, образуемой ионами серебра. В химически несенсибилизированных кристаллах, в которых образуется внутреннее скрытое изображение, образование скрытого изображения на поверхностных центрах светочувствительности может происходить лишь с весьма малой эффективностью. [26]
УУ-переход проходит прямой ток, обусловленный перемещением дырок из эмиттера в базу и электронов из базы в эмиттер. Но в транзисторах, как было указано выше, концентрация носителей тока в эмиттере значительно больше, чем в базе. Следовательно, число дырок, поступающих из эмиттера в базу, во много раз превышает число электронов, движущихся во встречном направлении. Поэтому почти весь ток через эмиттерный P - jV - nepe - ход обусловлен дырками. Дырки, попав в базу, для которой они является неосновными носителями тока, начинают рекомбинировать с электронами, образуя нейтральные атомы. Так как процесс рекомбинации происходит не мгновенно ( для этого требуется время, хотя и незначительное), то почти все дырки ( 90 - 95 %) успевают пройти через тонкий слой базы и достигнуть коллекторного P-TV - перехода прежде, чем произойдет рекомбинация. Подойдя к коллектору, дырки начинают испытывать действие электрического поля, созданного напряжением t / K, являющегося для дырок ускоряющим, как неосновных носителей тока / V-полупроводника, поэтому они быстро двигаются из базы в коллектор, резко уменьшая сопротивление коллекторного перехода. Этот ток образуется вследствие того, что в базу вместо исчезнувших при рекомбинации электронов входят от источника тока t / э все новые и новые электроны. [27]
Уход электрона из атома приводит к ионизации, а последующее перемещение дырки означает поочередную ионизацию неподвижных атомов. Если электрическое поле отсутствует, электроны проводимости совершают хаотическое тепловое движение. Если полупроводник поместить во внешнее электрическое поле, то электроны и дырки, продолжая участвовать в хаотическом тепловом движении, начнут перемещаться ( дрейфовать) под действием поля, что и создаст электрический ток. При этом электроны перемещаются против направления электрического поля, а дырки, как положительные заряды, - по направлению поля. Электропроводность собственного полупроводника, возникающая за счет нарушения ковалентных связей, называется собственной электропроводностью. [28]
 |
Транзистор типа PNP. [29] |
На коллекторный переход подано обратное смещение, что помогает перемещению дырок из базы ЛГ-типа к коллектору Р - типа, и дырки переходят в область коллектора. Почти все внутреннее падение напряжения происходит на переходах, так что в базе электрическое поле почти отсутствует. Поэтому введенная дырка проходит район базы, в основном, благодаря дифрузии. Чем больше времени дырка находится в районе базы, тем больше вероятность ее рекомбинации с электроном. [30]
Страницы: 1 2 3 4