Перемещение - кристалл
Cтраница 3
Обычно для выявления формы фронта кристаллизации используют метод отрыва, заключающийся в том, что в определенный выбранный момент времени резко увеличивают скорость перемещения кристалла, в результате происходит отрыв его от поверхности расплава. Чем выше скорость отрыва, тем более точно поверхность отрыва отражает фронт кристаллизации. Недостатком этого метода является то, что к части поверхности всегда прирастает затвердевающая капля. Кроме того, небольшое количество жидкости может удерживаться межфазным натяжением на других частях поверхности, искажая истинную структуру поверхности отрыва. При отрыве разрыв происходит по жидкой пленке и, следовательно, надежно судить о том, что часто образующиеся на поверхности отрыва террасы связаны с процессом роста, можно только при условии, что их высота больше толщины приставшего к кристаллу жидкого слоя. При бестигельной зонной плавке применяется разновидность этого метода - зона резко выдувается направленным потоком инертного газа или выливается при выбивании выращенной части кристалла молотком. [31]
Программоноситель - пятидорожечная телеграфная лента; угловой диапазон вращения кристаллов 360, угловые диапазоны вращения счетчика вокруг главной оси гониометра при jj, - д 0 от - 30 до 157, при ( хпр Фдр 60 от - 30 до 116, угловой диапазон вращения счетчика вокруг оси Ф от - 2 до 92 при ц, 0; угловой диапазон вращения рентгеновской трубки вокруг оси [ i от - 2 до 92 при [ i 0, предельные углы наклона трубки и счетчика ц пр фпр 60, точность автоматической установки кристалла и счетчика в заданное положение 0 02, точность установки счетчика и рентгеновской трубки на углы [ г и & 0 02; скорость установочных перемещений кристалла и детектора 300 град / мин, скорости перемещений кристалла при измерении интенсивности 8; 4; 2; 1; 0 5 град / мин; детекторы рентгеновского излучения - сциптилляционный и пропорциональный счетчики; регистрация результатов измерений на перфоленте цифропечатаю-щего устройства и на ленте самопишущего потенциометра; рентгеновская трубка БСВ-11; максимальное выпрямленное напряжение 50 кв при токе 30 ма, потребляемая мощность не более 5 ква; питание от сети 220 в, 50 гц общий вес 800 кг. [32]
Очевидно, что процесс фирмы Филлипс непрерывной кристаллизации дает определенные преимущества с точки зрения отсутствия включений маточного раствора в полостях внутри кристалла или групп кристаллов. При перемещении кристаллов из охлаждаемой зоны колонны в обогреваемую включения маточного раствора в кристалле будут увеличиваться в результате плавления ( растворения) стенок и в конце концов окажутся па поверхности и без труда перейдут в ядро жидкой фазы. Кроме того, при противоточном методе, в результате последовательного достижения равновесий с прогрессивно обогащающимися растворами по мере продвижения кристалла в слое жидкости изменяющегося состава, удаляется пленка жидкости, адсорбированная на кристаллах. Поэтому процесс кристаллизации в аппарате типа колонны обеспечивает эффективное удаление всех трех типов включений маточного раствора, в то время как при обычном центрифугировании или фильтрации удаляется только жидкость, удерживаемая под действием капиллярных сил. Следовательно, теоретически противоточная очистка в колонне непрерывного действия при работе со смесями, образующими эвтектики, позволяет приблизиться к 100 % эффективности единичной ступени очистки, что является принципиальным отличием ее от всех других известных процессов. [33]
 |
Кристаллизационные колонки. шнековая ( а и с движущейся пленкой расплава ( б. [34] |
Вся колонка заключена в теплоизоляционный кожух 9 из пенопласта ( см. разд. При перемещении кристаллов сверху вниз возможно образование пробок твердой фазы между витками шнека из-за нарушения теплового режима работы колонки. [35]
Увеличение околокристальной зоны приводит к уменьшению скорости притока питательного вещества, а следовательно, и снижению скорости роста кристалла. При перемешивании раствора или при перемещении кристалла околокристальная зона нарушается, увеличивается приток питательного вещества из пересыщенного раствора и скорость роста кристалла возрастает. [36]
Но условие (11.7) не исчерпывает полностью связей между изменениями площадей при их возможных перемещениях. В число этих перемещений включается и перемещение кристалла в пространстве без изменения формы. [37]
Но условие (9.7) не исчерпывает полностью связей между изменениями площадей при их возможных перемещениях. В число этих перемещений включается и перемещение кристалла в пространстве без изменения формы. [38]
Цилиндр, один конец которого имеет температуру ниже температуры кристаллизации очищаемого вещества, а другой - выше, помещен в силовое поле, обеспечивающее принудительное перемещение кристаллов к нагретому концу цилиндра, где они плавятся, а жидкости к холодному, где она кристаллизуется. В цилиндре должно установиться равновесие между процессами перемещения кристаллов и жидкости в силовом поле и процессом их фазового превращения. Очистка происходит следующим образом. В первый момент концентрация кристаллов во всем цилиндре одинакова. Пусть величина коэффициента распределения меньше единицы; кристаллизация на холодном конце цилиндра аналогична первой ступени очистки, так как концентрация примеси в кристаллах меньше концентрации ее в оставшейся жидкости и исходной концентрации; в жидкости - наоборот. Более чистые кристаллы под действием силового поля перемещаются в нагретый конец цилиндра и там плавятся. При этом средняя концентрация примеси в жидкости на нагретом конце понижается, на холодном - повышается. [39]
В условиях массовой кристаллизации учет зависимости скорости роста от перемешивания раствора усложнен особыми обстоятельствами. К их числу прежде всего относится возможность перемещения кристаллов по объему раствора, наряду с вращением их вокруг соответствующих осей. Естественно, это затрудняет учет скорости движения фаз относительно друг друга. Конечно, это позволяет получить лишь приближенные представления о ходе процесса. Однако, сочетая данные о росте с другими данными по кристаллизации, можно составить достаточно четкие представления о механизме и закономерностях образования кристаллических осадков. [40]
Не все химические или физические изменения нежелательны, и в некоторых случаях те или иные процессы влияют положительно. Например, растворение некоторого количества частиц и образование рассола при перемещении кристаллов соли в воде играет положительную роль. Частичное растворение сахара при транспортировании срезанных стеблей тростникового Сахара водой несколько сокращает время последующей операции экстракции. Применительно к интересам целлюлозно-бумажной промышленности изучена возможность транспортирования древесной щепы в водном растворе соответствующих химикалиев с тем, чтобы за время перемещения происходило частичное размягчение массы. [41]
При этом принудительно создается движение кристаллов в направлении от центра к периферии, к нагретому концу емкости, где они плавятся, в то время как жидкость вытесняется кристаллами D сторону холодного конца и кристаллизуется там. По прошествии определенного начального периода в емкости создается равновесие между процессами перемещения кристаллов и расплава и процессом их взаимного превращения. Рассмотрим поведение примеси в очищаемом образце при условии, что ее коэффициент распределения меньше единицы. [42]
При изгибе оловянных палочек слышен треск, так называемый хруст, возникающий от перемещения кристаллов и образования сдвигов по плоскостям скольжения. [43]
Рассмотрены вопросы применимости метода противоточной кристаллизации из расплава для глубокой очистки хлоридов бора, титана, германия, галлия от некоторых примесей. Определены равновесные значения коэффициентов распределения в системах хлорид элемента - примесь и обсуждены возможности применения колонн двух типов перемещения кристаллов для процессов очистки. [44]
 |
Схема кристаллизационной колонны с движением кристаллов сверху вниз с помощью шнекового транспортера. [45] |
Страницы: 1 2 3 4