Перемещение - подложка
Cтраница 2
Для стабильной работы валковой машины необходимо, чтобы все зазоры были постоянно заполнены лакокрасочным материалом. Частота вращения наносящего валка для машин рассматриваемого типа должна соответствовать скорости перемещения подложки. Вследствие больших давлений, возникающих в слое лакокрасочного материала, проходящего через зазор, получаемое покрытие не всегда равномерно по толщине, поэтому применяемый материал должен иметь хороший розлив для предотвращения дефекта неравномерности окраски типа полосоватости. Для этих же целей используют незначительную фрикцию, достигаемую регулировкой соотношения скоростей наносящего валка и движения ленты. [16]
Загрязнения создают органические пленки или частицы разной породы. Пленки низкомолекулярных масел или жиров могут образовываться из смазок обрабатывающих устройств, из загрязнений воздуха, а также из пота или масел при ручных операциях с субстратом, из пластификаторов и стабилизаторов, которые могут, особенно при высоких температурах, выделяться из полимерных материалов, используемых для защиты и перемещения подложек. [17]
Лазерные интерферометры с диапазоном измерения до 200 мм уже используют в микроэлектронике при изготовлении интегральных схем. Для нанесения элементов интегральных схем необходимо проводить их покадровое проекционное впечатывание на подложку. При этом каждый следующий кадр должен впечатываться после перемещения подложки на строго определенный размер. От точности перемещения зависит совмещение элементов, а также максимальный размер подложки. С использованием двухкоорди-натного лазерного интерферометра удалось примерно в 10 раз точнее, чем раньше, контролировать перемещение столика с подложкой. [18]
Перспективы применения ионной литографии связывают также с возможностью безрезистивного метода получения рисунка микросхем и созданием так называемой монолитно-интегральной технологии БИС. Возможность практического применения безре-зистивной ионной литографии основана на том, что твердые тела, подвергнутые ионному облучению, резко изменяют свою химическую активность. Идеальной схемой безрезистивной ионной литографии является экспонирование металлической пленки ионным лучом, последующее ионное травление, перемещение подложки в позицию для напыления очередного металлического слоя и повторная ионно-луче-вая литография. Из-за несовершенства технологического оборудования этот процесс еще не реализован. [19]
Шлюзовые устройства и конвейер обеспечивают транспортирование и выгрузку подложек без специальной технологической тары-спутника, поэтому равномерность электрического поля между электродами не нарушается, и достигается более равномерное распыление. Конвейер постоянно находится в вакууме, что увеличивает чистоту процесса. В магазине загрузки размещаются 360 подложек, его конструкция обеспечивает съем и замену любого из четырех секторов магазина и выгрузки. Перемещение подложек осуществляется поштучно с циклом 1 5 - 10 с в автоматическом режиме. [20]
Значительные возможности в повышении производительности линии открываются при использовании роторного принципа автоматизации производственного процесса. Ори этом любая операция напыления разбивается на несколько позиций, в результате чего ритм работы линии не определяется продолжительностью наиболее длительного напыления, а может быть значительно ускорен. При использовании роторных линий производительность совершенно не зависит от вспомогательного времени, так как обработка изделия ведется также и в процессе его транспортирования. В процессе перемещения подложки с одной позиции напыления на другую может быть произведено измерение ее температуры, определена толщина пленки и измерены ее физические параметры. Одновременно может быть произведена дозировка напыляемого материала и подготовка испарителей к работе. Однако непременным условием, определяющим возможность построения линии напыления по роторному принципу, является четко отработанная технология напыления отдельных пленочных элементов или микросхем. [21]
Поток газа из колонки, в соответствии с этим методом направляют не на слой сорбента, а на подложку из стекла или какого-либо другого материала. Образовавшиеся кристаллы исследуют с помощью микроскопа и по характерной форме идентифицируют разделенные в колонке вещества. В качестве дополнительного метода исследования применяют колориметрию. Метод исключительно прост, но позволяет определять нано - и пикограммовые количества веществ, а также проводить надежную идентификацию. Техника проведения эксперимента во многом схожа с описанной выше и заключается в перемещении соответствующей подложки под выводом из ГХ-колонки с определенной скоростью. Подложки можно дополнительно охлаждать, сделав в них внутренние холодильники. Распределение кристаллов вдоль пути нанесения соответствует предварительно полученным хроматограммам. [22]
 |
Схема расположения валков при нанесении лакокрасочных материалов методом прямой ( а - г и обратной ( в, е ротации. [23] |
Нанесение лакокрасочных материалов машинами прямой ротации ( рис. 5.9, в, г) осуществляется следующим образом. Лакокрасочный материал увлекается питающим валком 3 и направляется к зазору между питающим 3 и регулирующим 2 валками. Избыток материала отжимается регулирующим валком 2, а прошедший слой лакокрасочного материала распределяется между регулирующим и питающим валками. В последующем зазоре происходит распределение лакокрасочного материала между наносящим 1 и регулирующим 2 валками. Таким образом осуществляется подача лакокрасочного материала в зону нанесения, в которой при контакте наносящего валка 1 с подложкой происходит ее окраска. Скорость вращения наносящего валка в машинах прямой ротации обычно соответствует скорости перемещения подложки. [24]
Как и в устройствах на ВШП, в фильтрах сжатия на ОР часто оказывается необходимым амплитудное взвешивание для подавления боковых лепестков сжатого импульса и компенсации изменений амплитуды, возникающих по различным причинам, например из-за изменения расстояния между канавками. Амплитудное взвешивание можно проводить, изменяя глубину канавок, так как коэффициент отражения от неглубоких канавок примерно пропорционален их глубине. Такой прием несколько усложняет технологию изготовления устройства. С этой целью на поверхность вначале наносится пленка металла, участки которой в местах расположения канавок удаляются методами фотолитографии. Глубина изменяется при пропускании пучка ионов через узкую щель с помощью перемещения подложки с переменной скоростью. При этом длительность облучения ионами разных областей оказывается различной. [25]
Страницы: 1 2