Кристаллизационное перенапряжение

Cтраница 1

Кристаллизационное перенапряжение, являющееся результатом торможений на стадии построения кристаллической решетки из адсорбированных атомов или на стадии разрушения. Возможно, что для описания этого вида перенапряжения лучше подошел бы термин фазовое перенапряжение, предложенный Горбачевым, или термин структурное перенапряжение, поскольку они, в отличие от кристаллизационного перенапряжения, одинаково приложимы к процессу построения решетки и к процессу ее разрушения. [1]

Наиболее подробно кристаллизационное перенапряжение исследовано на примере электроосаждения металлов, хотя имеются работы, посвященные развитию окис-ных и иных пленок на поверхности анода. Для того чтобы уяснить себе сущность кристаллизационного перенапряжения, необходимо вначале рассмотреть металлы с морфологической точки зрения. [2]

Зависимость частоты образования трехмерных зародышей NK при катодном выделении ртути на платине от ве. [3]

Наиболее подробно кристаллизационное перенапряжение исследовано на примере электроосаждения металлов, хотя имеются работы, посвященные развитию оксидных и иных пленок на поверхности анода. Для того чтобы уяснить сущность кристаллизационного перенапряжения, необходимо вначале рассмотреть металлы с морфологической точки зрения. [4]

Схема структуры поверхности кристалла. [5]

Значения кристаллизационного перенапряжения невелики и зависят от природы металла и состояния поверхности. Для многих металлов ( Zn, Pb, Ag и др.), имеющих сравнительно высокие токи обмена, кристаллизационное перенапряжение составляет всего лишь несколько милливольт. [6]

Схема роста двухмерного зародыша. [7]

Значения кристаллизационного перенапряжения сравнительно невелики и зависят от природы металла и состояния поверхности катода, которое во время электролиза меняется в результате адсорбции посторонних ионов и молекул органических веществ. Для многих металлов ( Sn, Pb, Ag, Hg, Cd и др.), имеющих сравнительно большие токи обмена, кристаллизационное перенапряжение составляет всего лишь несколько милливольт и возникает, когда электрохимическое перенапряжение при выделении этих металлов очень мало, например, при электролизе растворов простых солей этих металлов в отсутствие поверхностно-активных добавок. [8]

Значения кристаллизационного перенапряжения сравнительно невелики н зависят от природы металла и состояния поверхности катода, которое во время электролиза меняется м результате адсорбции посторонних ионов и молекул органических веществ. Для многих металлов ( Sn, Pb, Ag, I lt, Cd и др.), имеющих сравнительно большие токи обмена, кристаллизационное перенапряжение составляет п: - его лини, несколько милливольт и возникает, когда электрохимическое перенапряжение при выделении этих металлов очень мало, например, прн электролизе растворов простых солей этих металлов в отсутствие поверхностно-активных добавок. [9]

I t -, . a - in ДЕ. e ti го ( аролыша. [10]

Значения кристаллизационного перенапряжения сравнительно невелики и зависят от природы металла ц состояния поверхности катода, которое во время электролиза меняется и результате адсорбции посторонних ионов и молекул органических веществ. Для многих металлов ( Sn, Pb, Ag, I lt, Cd и др.), имеющих сравнительно большие токи обмена, кристаллизационное перенапрнжение составляет п: - его лишь несколько милливольт и возникает, когда электрохимическое перенапряжение при выделении э-шх металлов очень мало, например, при электролизе растворов простых солей этих мсмаллов в отсутствие поверхностно-активных добавок. [11]

Как известно, кристаллизационное перенапряжение зависит от поверхностной энергии грани кристалла. [12]

Полагая, что кристаллизационное перенапряжение, по аналогии с осаждением других металлов [51, 52], не превышает нескольких милливольт, авторы работы [ 50а ] рассматривают перенапряжение, наблюдаемое при осаждении сурьмы из солянокислых растворов, как перенапряжение перехода. Как видно из рис. 6 и 7, зависимость катодного и анодного потенциала от плотности тока в некотором интервале ( 10 - 2 - 10 - 3 а ] см2) укладывается в полулогарифмическую. Экстраполяция катодных и анодных прямых до пересечения дает значения потенциалов, близкие равновесным, и токи обмена, представленные в табл. 2, где также приведены вычисленные из ( наклона поляризационных кривых ср - Igi кинетические параметры аир. [13]

Так как пересыщение эквивалентно кристаллизационному перенапряжению, то можно сказать, что для образования зародышей кристаллов при электроосаждении металлов требуется всегда повышенное перенапряжение. [14]

При образовании твердой фазы возникает кристаллизационное перенапряжение, причиной которого является замедленность вхождения атомов в упорядоченную структуру кристаллической решетки твердого металлического тела. Перенапряжение кристаллизации проявляется в чистом виде только тогда, когда все другие стадии, кроме кристаллизации, а именно, стадия шерехода, диффузия и химические реакции в электролите при протекании то-жа, находятся в условиях, очень близких к термодинамическому равновесию. [15]

Страницы: 1 2 3 4