Cтраница 2
Сама маска в настоящее время изготавливается методом химического вытравливания нужного рисунка на тонкой пленке металлического хрома, нанесенной на стеклянную подложку. Рисунок впечатывается в резистную пленку с помощью управляемого компьютером электронного луча. Способы проявления органического резистного материала, предназначенного для переноса рисунка на объект, основываются на результатах сравнительно недавних изысканий. Используется много новых типов полимеров и химических реакций, без которых усложнение интегральных схем было бы невозможно. Фактически ни одного из этих полимеров в 1970 г, еще не существовало. Примерами новых электроннолучевых резистов могут служить продукты сополимеризации различных алкенов с диоксидом серы. Открытие способов синтеза и фоточувствительных свойств таких материалов относится к совсем недавнему времени. [16]
Сама маска в настоящее время изготавливается методом химического вытравливания нужного рисунка на тонкой пленке металлического хрома, нанесенной на стеклянную подложку. Рисунок впечатывается в резистную пленку с помощью управляемого компьютером электронного луча. Способы проявления органического резистного материала, предназначенного для переноса рисунка на объект, основываются на результатах сравнительно недавних изысканий. Используется много новых типов полимеров и химических реакций, без которых усложнение интегральных схем было бы невозможно. Фактически ни одного из этих полимеров в 1970 г. еще не существовало. Примерами новых электроннолучевых резистов могут служить продукты сополимеризации различных алкенов с диоксидом серы. Открытие способов синтеза и фоточувствительных свойств таких материалов относится к совсем недавнему времени. [17]
Вязкая прозрачная жидкость от бесцветного до слегка желтоватого цвета без механических включений; допускается незначительная муть. Применяют для нанесения покровной пленки на керамическую декалькоманию с целью более простого и легкого переноса рисунка на изделие из керамики. [18]
Они наиболее пригодны для получения копий непосредственно с магнитной матрицы. Наиболее простым и дешевым является электрографический способ. Он основан на образовании скрытого электростатического изображения в виде потенциального рельефа на бумаге ( носителе) при помощи фотооптического переноса рисунка с оригинала на носитель, предварительно заряженный высоковольтным зарядом. Скрытое электростатическое изображение проявляется с помощью специального порошка, фиксируется нагреванием и расплавлением термопластических веществ - компонентов порошка. [19]
После экспонирования слоя фоторезиста, покрывающего кремниевую пластину, рисунок с фоторезиста переносят наслои БЮг и Si3N4, сформированные на этой пластине. Для этого слой фоторезиста проявляют и проводят селективное травление слоев Si02 и SisISU в соответствии с полученным рисунком. Методами влажного травления водными растворами проводят травление рисунков с размерами элементов до 3 мкм. Поскольку слои S1O2 и Si3N4 являются аморфными, то травление происходит равномерно во всех направлениях, распространяясь и под защитную пленку фоторезиста. Этот процесс называется под-травливанием. В результате подтравливания трудно получить высокую точность переноса рисунка. Величина подтравливания обычно соизмерима с толщиной слоев Si02 и Si3N4 и составляет 0 1 - 0 5 мкм. При ширине линий рисунка 10 мкм относительная ошибка переноса рисунка в результате подтравливания невелика. Очевидно, что если ширина линий приближается к 1 мкм, то ошибка переноса достигает недопустимой величины. [20]
После экспонирования слоя фоторезиста, покрывающего кремниевую пластину, рисунок с фоторезиста переносят наслои БЮг и Si3N4, сформированные на этой пластине. Для этого слой фоторезиста проявляют и проводят селективное травление слоев Si02 и SisISU в соответствии с полученным рисунком. Методами влажного травления водными растворами проводят травление рисунков с размерами элементов до 3 мкм. Поскольку слои S1O2 и Si3N4 являются аморфными, то травление происходит равномерно во всех направлениях, распространяясь и под защитную пленку фоторезиста. Этот процесс называется под-травливанием. В результате подтравливания трудно получить высокую точность переноса рисунка. Величина подтравливания обычно соизмерима с толщиной слоев Si02 и Si3N4 и составляет 0 1 - 0 5 мкм. При ширине линий рисунка 10 мкм относительная ошибка переноса рисунка в результате подтравливания невелика. Очевидно, что если ширина линий приближается к 1 мкм, то ошибка переноса достигает недопустимой величины. [21]