Переохлаждение - расплав
Cтраница 1
Переохлаждение расплава в поверхностном слое оказывает существенное влияние на дальнейший процесс кристаллизации в центре изделия и служит характеристикой, определяющей условия кристаллизации всего изделия в целом. В зависимости от величины переохлаждения расплава температурные условия кристаллизации в форме могут быть различными. [1]
Обычно переохлаждение расплава происходит от долей до десятков градусов, но для ряда веществ может достигать сотен градусов. Из-за большой вязкости сильно переохлажденные жидкости теряют текучесть, сохраняя, как и твердые тела, свою форму. Эти тела получили название аморфных твердых тел; к ним относятся смолы, воск, сургуч, стекло. Из опыта известно, что в аморфных телах со временем может наблюдаться процесс кристаллизации, например в стекле появляются кристаллики; оно, теряя прозрачность, начинает мутнеть и превращаться в поликристаллическое тело. [2]
Такое переохлаждение расплава и максимальное число зародышей - центров кристаллизации наблюдается вблизи стенок формы, поэтому затвердевание отливки всегда начинается у стенок формы. [3]
Обычно переохлаждение расплава происходит от долей до десятков градусов, но для ряда веществ может достигать сотен градусов. Из-за большой вязкости сильно переохлажденные жидкости теряют текучесть, сохраняя, как и твердые тела, свою форму. Эти тела получили название аморфных твердых тел; к ним относятся смолы, воск, сургуч, стекло. Из опыта известно, что в аморфных телах со временем может наблюдаться процесс кристаллизации, например в стекле появляются кристаллики; оно, теряя прозрачность, начинает мутнеть и превращаться в поликристаллическое тело. [4]
На переохлаждение расплава оказывает влияние скорость теплоотвода. [5]
Величина переохлаждения расплава в поверхностном слое блока влияет также и на кристаллизацию расплава в центре блока и может быть характеристикой, определяющей кристаллизацию всего блока. [6]
Изменение переохлаждения расплава связано с закономерным изменением структуры сплавов при возрастающем содержании модификатора. Введение в исходный чугун малых добавок церия приводит лишь к некоторому измельчению эвтектического графита. С ростом содержания церия наблюдается образование компактного графита. В структуре появляются эвтектические карбиды и дальнейшее увеличение содержания церия приводит к формированию колоний аустенито-цементитной эвтектики. С увеличением степени отбела количество компактных графитных включений уменьшается, но появляется тонкодифференцированная аустенито-графитовая эвтектика. При максимальных исследованных добавках эта эвтектика становится преобладающей составляющей первичной структуры. Количество шаровидных включений графита резко снижается наряду с исчезновением эвтектических карбидов. [7]
При кристаллизации металлов переохлаждение расплава не превышает нескольких долей градуса. В других случаях возможны переохлаждения расплава на градусы и десятки градусов. [8]
ДГ ГПЛ-Т характеризует переохлаждение расплава, г - радиус критического зародыша. [9]
При кристаллизации металлов переохлаждение расплава не превышает нескольких долей градуса. В других случаях возможны переохлаждения расплава на градусы и десятки градусов. [10]
Сверхбыстрое охлаждение обеспечивает переохлаждение расплава, и расплав из-за сильного увеличения вязкости по достижении температуры стеклования Тс становится твердым аморфным телом. Вместе с тем температура стеклования Тс не является точкой фазового превращения: расплав и полученное из него стекло принадлежат одной и той же фазе. [11]
При кристаллизации металлов переохлаждение расплава не превышает нескольких долей градуса. В других случаях возможны переохлаждения расплава на градусы и десятки градусов. [12]
Чем выше степень переохлаждения расплава и скорость его охлаждения, тем быстрее происходит образование зародышей и тем более мелкозернистую структуру имеет металл. Мелкозернистая структура отличается более высокой механической прочностью. [13]
 |
Распределение удельного сопротивления ом-см в кристалле Ge со стержнем. [14] |
Было показано, что переохлаждение расплава создает благоприятные условия для появления граней на боковой поверхности кристалла. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5