Переохлаждение - расплав
Cтраница 2
 |
Влияние перегрева на переохлаждение расплава при эвтектической кристаллизации. [16] |
Для выяснения причин уменьшения переохлаждения расплава при больших перегревах необходимы дальнейшие исследования. [17]
На охлаждаемой стенке, где переохлаждение расплава достигает наибольшей величины, зарождаются кристаллы, которые при дальнейшем росте образуют кристаллический слой. Поверхность последнего, граничащая с расплавом ( фронт кристаллизации), с течением времени перемещается вглубь расплава. [18]
При кристаллизации металлических расплавов различают переохлаждение расплава, образование зародышей и рост зародышей. [19]
 |
Зависимость морфологии поверхности эпитаксиальных слоев, полученных методом жидкофазной эпитаксии, от угла разориентации подложки в и положительного градиента температуры в расплаве кг ad Гх. [20] |
Она возрастает также при наличии переохлаждения расплава. [21]
 |
Изменение свободной энер - Рис, 2. Образование зародыша ( П. [22] |
Отметим, что в области глубоких переохлаждений расплава необходимо учитывать температурную зависимость теплоты плавления. [23]
Таким образом, период установления постоянного переохлаждения расплава ограничивает изучение временной зависимости скорости зарождения центров кристаллизации в начале процесса, а большая длительность ожидания наступления кристаллизации при малых переохлаждениях затрудняет подобное исследование вследствие того, что стационарная скорость нуклеации может быть не достигнута в данной серии экспериментов. [24]
При политермической кристаллизации пересыщение раствора или переохлаждение расплава, с одной стороны, создается и увеличивается в результате понижения температуры, а с другой, - уменьшается в результате фазового превращения. Скорость роста пересыщения определяется темпом охлаждения системы. [25]
 |
Кривые охлаждения однокомпонентных веществ. [26] |
Однако для чистых однокомпонентных веществ из-за переохлаждения расплава ход температурной кривой часто отличается от описанного. При температурах ниже точки кристаллизации переохлажденный расплав остается в жидком состоянии. [27]
 |
Функция распределения времени ожидания появления первого центра кристаллизации в расплаве теллура ( перегрев расплава 4 5 С, выдержка в перегретом состоянии 30 мин. [28] |
Зависимость скорости зарождения центров кристаллизации от переохлаждения расплава теллура при различных предварительных перегревах и выдержке в перегретом состоянии ( кривые 1 - 3 та. Зависимость скорости нуклеации от переохлаждения имеет экстремальный вид. Положение максимумов слабо зависит от термической предыстории расплава, в то время как скорость зарождения центров кристаллизации значительно уменьшается с увеличением предварительного перегрева расплава. Среднее переохлаждение расплавов, так же как и время пребывания расплава в переохлажденном состоянии, с увеличением числа циклов постепенно возрастает. С повышением предварительного пер &-грева расплава до 30 - 40 G указанная зависимость проявляется уже в меньшей степени. [29]
Движущей силой роста твердой фазы является кинетическое переохлаждение АГК расплава в области границы раздела фаз. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5