Концентрационное переохлаждение

Cтраница 2

Схематическая / - С - диаграмма для двухфазной системы с ограниченной растворимостью компонентов в твердом состоянии. [16]

Причиной этого является концентрационное переохлаждение и нарушение устойчивости плоской границы раздела фаз. Скачок на кривой распределения в конце слитка может быть обусловлен также тем, что CL достигает относительного содержания примеси в эвтектической или перитек-тической точке, когда / с0 и k становятся равными единице. Однако для микропримесей, имеющих небольшие значения С0, указанные явления не характерны. [17]

Однако диффузия и концентрационное переохлаждение могут доставлять неприятности при высоких концентрациях активаторов ( например, при производстве диодов по методу Есаки [27]) и при выращивании инкон-груэнтно плавящихся окислов неорганических материалов и других соединений, у которых максимальная температура плавления не соответствует нужной стехиометрии и у которых кристалл и расплав сильно различаются по составу. Перемешивание расплава уменьшает толщину диффузионного слоя, снижая вероятность возникновения зоны концентрационного переохлаждения. Но как показал Хэрл [28], концентрационное переохлаждение возможно даже в перемешиваемых расплавах. При k0 1 концентрация примеси или активатора перед кристаллической поверхностью возрастает по мере роста и достигает стационарного уровня CQ. Развивая представления Бартона и др. [24], рассматривавших зависимость & эфф от скорости перемешивания, Хэрл [28] вывел уравнение, связывающее возникновение концентрационного переохлаждения со скоростью перемешивания. [18]

До появления теории концентрационного переохлаждения считалось, что дендритный рост кристалла обусловлен переохлаждением расплава. [19]

Так как вероятность концентрационного переохлаждения при кристаллизации из расплава в условиях значительного содержания легирующей примеси в системе расплав - кристалл весьма велика, то при этом требуется тщательный подбор режимов выращивания монокристалла. [20]

В чем сущность концентрационного переохлаждения и как оно влияет на формирование кристаллов в процессе кристаллизации. [21]

При увеличении степени концентрационного переохлаждения высота ячеек возрастает, и они постепенно превращаются в дендриты. [22]

Типы первичной структуры. [23]

Если протяженность зоны концентрационного переохлаждения Ьз достаточно велика и переохлаждение больше некоторой критической величины, при которой еще происходит образование ячеистой структуры, то на всех ячейках начинают образовываться ветви и они превращаются в дендриты. [24]

Последовательность развития ячеистой структуры 54. [26]

Так как при концентрационном переохлаждении температурный градиент в жидкой фазе положителен, то температура на вершине рассматриваемого образования выше, чем на плоской поверхности раздела. Оттесняемые растущей выпуклой поверхностью примеси создают боковые концентрационные градиенты и скапливаются около основания выступа. Это понижает температуру затвердевания у основания выпуклости и тормозит рост образования в боковых направлениях. [27]

Фронт кристаллизации. [28]

Но здесь может возникнуть концентрационное переохлаждение, связанное с избытком теллура в расплаве, который вводят для компенсации избытка висмута и сурьмы в твердой фазе. Например, на диаграмме состояния Bi Sb-Te в области соединения ( Bi, 8Ь) 2Тез ( рис. 15) так же, как на рассмотренной выше диаграмме Bi-Te, область гомогенности ( на рис. 8, 15 заштрихована) сдвинута в сторону больших концентраций Bi и Sb, но, в отличие от диаграммы Bi-Te, в данном случае вертикаль, соответствующая стехиометрическому составу, не пересекает область гомогенности, а кривая солидуса с правой стороны имеет выпукло-вогнутую форму. Избыток теллура, который надо вводить для того, чтобы получить нужную концентрацию дырок, может вызвать концентрационное переохлаждение. [29]

В соответствии с (5.35) здесь концентрационное переохлаждение имеет место при сколь угодно малой скорости кристаллизации и сколь угодно малой исходной концентрации примеси. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5