Логический перепад

Cтраница 3

Время перекода Р1 на выходе логического элемента из состояния О в состояние 1 -интервал времени, в течение которого напряжение на выходе логического элемента переходит от уровня О к 1, измеренный при значениях 0 1 и 0 9 логического перепада. [31]

Из электрических требований, предъявляемых к системе металлизации, наиболее важными являются следующие: сопротивление контактов к полупроводниковым областям не должно влиять на параметры активных элементов БИС; емкость металлизированных соединений должна быть мала и не влиять на быстродействие ИС; падение напряжения в шинах питания должно быть много меньше логического перепада. [32]

Если крутизна БТ, по крайней мере, в 10 раз превышает крутизну длинноканального МОП-транзистора, то соответствующий такому отношению токов логический перепад составляет более 1 В. Больший логический перепад может быть обеспечен при более высоком значении Еп. [33]

При этом логический перепад в схеме можно увеличить до 1 5 В ( против 0 8 В в типовой схеме) без опасности работы транзисторов в режиме насыщения и тем самым значительно ( почти на 0 35 В) увеличить запас статической помехоустойчивости. [34]

C ( логического перепада) здесь оказывается значительно большей. Если увеличение тока через цепь связи в предыдущей схеме не вызывало заметного увеличения падения напряжения на смещающих диодах благодаря особенностям их характеристик, то при использовании в цепи связи резистора R5 падение напряжения на элементе связи ( в стационарном режиме) возрастет пропорционально току. Таким образом, если в схеме рис. 6.6, а перепад напряжений в точке А был равен Амл Д бэ. Дил ДНбэ Д кб - Увеличение значения Дыд в этой схеме требует, очевидно, увеличения входного логического перепада Umn. Необходимо отметить, что увеличение логического перепада при заданной величине входного тока приводит, естественно, к росту потребляемой элементом мощности. [35]

Если сигналы подают в виде высокого ( положительной или отрицательной полярности) и низкого ( близкого к нулю) уровня напряжения, то такой способ подачи сигнала называют потенциальным. Разность уровней единицы и нуля называют логическим перепадом U. Он должен быть значительным, иначе нельзя будет четко отделить один уровень от другого. [36]

Передаточная характеристика основного логического элемента микросхемы ЭСЛ. [37]

Ом типовое значение времени задержки распространения для них составляет 7 не. Время задержки измеряется на уровне 50 % полного логического перепада напряжения при переключении схемы. [38]

Графики расчетных зависимостей зарядной составляющей входной емкости от входного напряжения для различных режимов включения дифференциальной пары при однофазном ( а, б и парафазном ( в, г управлении. [39]

Например, в режиме 2 С3 принимает отрицательные значения. Из рисунков также видно, что при уменьшении логического перепада в случаях парафазного управления С3 увеличивается. [40]

Схема реализации [ IMAGE ] Схема объединения базо-логической схемы И вых логических элементов с ДШ. [41]

Схема объединения базовых элементов ( см. рис. 1.24 а), в которой используется диодная сборка из ДШ с общим катодом и раздельными анодами, приведена на рис. 1.27. На рис. 1.24 в приведена электрическая схема базового элемента, аналогичная схеме 1.24 а, но отличающаяся от нее тем, что коллекторный p - n - переход переключательного транзистора шунтирован ДШ. Такое включение шунтирующего ДШ уменьшает степень насыщения переключательного транзистора и логический перепад. [42]

Временные характеристики АЛУ К1800ВС1. [43]

Длительность фронтов и срезов по уровням 20 и 80 % логического перепада напряжения меньше или равна 5 5 не по всем выходам. [44]

Блок построен на комбинационных ло гических схемах. Второй блок может содержать комбинационные и последовательностные логические схемы с уменьшенным логическим перепадом. Третий блок содержит элементы, восстанавливающие логический перепад, развязывающие внутренние элементы от внешней емкостной нагрузки и обеспечивающие работу на низкоомные линии связи. Кроме того, блок должен включать трансляторы уровней для согласования внутренних малосигнальных логических элементов с серийными ИМС типов КМОП, ТТЛ и ЭСЛ. [45]

Страницы: 1 2 3 4