Переход - дырка
Cтраница 1
Переход дырок из р-германия в основную часть кристалла ( я-типа) называется впрыскиванием ( инжекцией) дырок. Контакт р - и л-германия вблизи коллектора обладает малым сопротивлением для дырок. [1]
Переход дырки на соседнее место можно трактовать как двойной акт, первая половина которого сводится к испарению атома, а вторая - к конденсации его в соседнем положении. [2]
Переход дырок в область базы сопровождается их рекомби-нацией ( соединением) с электронами, что нежелательно, поэтому конструктивно толщина базы берется такой ( не более 0 25 мм), чтобы большинство дырок успевало проникнуть из эмиттера в коллектор. Кроме того, для преимущественного перехода дырок из эмиттера в базу их концентрация в области эмиттера создается примерно в 100 раз большей, чем в области базы. Это обстоятельство - рбъясняет и значительное различие в удельных сопротивлениях эмиттера и базы. В области базы дырки, двигаясь в сторону меньшей концентрации, достигают коллекторного перехода. [3]
 |
Диаграммы распределения зарядов в базах тиристора ( а и кривая обратного тока ( б в период выключения тиристора через анод. [4] |
Благодаря переходу дырок из базы р2 в базу % концентрация их в толстой базе, а следовательно, и электронов ( закон зарядной нейтральности) убывает, но эта убыль происходит медленнее, чем в тонкой базе. [5]
 |
Электронно-дырочный переход. [6] |
В результате перехода дырок из полупроводника типа р в полупроводник типа п в полупроводнике типа р образуется слой отрицательных неподвижных зарядов. Эти два слоя образуют разность потенциалов запирающего слоя ( контактную разность потенциалов) и соответствующее ей электрическое поле Ек, препятствующее движению электронов из полупроводника типа п в полупроводник типа р и обратному движению дырок. [7]
В результате перехода дырок из полупроводника типа р в полупроводник типа п в полупроводнике типа р образуется слой отрицательных неподвижных зарядов. Эти два слоя положительных и отрицательных зарядов образуют электрическое поле и разность потенциалов запирающего слоя ( контактную разность потенциалов), препятствующую движению электронов из полупроводника типа п в полупроводник типа р и обратному движению дырок. [8]
 |
Электронно-дырочный переход. [9] |
В результате перехода дырок из полупроводника типа р в полупроводник типа п в полупроводнике типа р образуется слой отрицательных неподвижных зарядов. Эти два слоя положительных и отрицательных зарядов образуют разность потенциалов запирающего слоя ( контактную разность потенциалов) и соответствующее ей электрическое поле Ек, препятствующее движению электронов из полупроводника типа п в полупроводник типа р и обратному движению дырок. [10]
Тем самым возникает препятствие для перехода дырок на уровни активатора. [11]
Дырочная составляющая тока эмиттера определяется переходом дырок из эмиттера в базу. Инжектированные в базу дырки иод действием тепловой диффузии, стремящейся выровнять их концентрацию по всему объему базы, перемещаются в направлении коллектора. Так как электрическое поле в базе транзистора, создаваемое источниками питания, относительно невелико, можно считать, что перемещение дырок от эмиттера к коллектору через тонкую базу происходит исключительно за счет диффузии. При непрерывной инжекции ( / э const) в базе устанавливается соответствующее распределение концентрации дырок, что и предопределяет их перенос через базу. [12]
В кристалле с р - переходом дырки сосредоточены в - области, а электроны проводимости - в - области. Вследствие диффузии электроны и дырки в некотором количестве будут пересекать границу областей. Дырки, диффундируя в - область, будут оставлять в р-области вблизи границы отрицательно заряженные ионы акцептора, а электроны, диффундируя в р-область, будут оставлять в - области вблизи границы положительно заряженные ионы донора. Таким образом, на границе - р перехода образуется электростатический дипольный слой и связанное с ним электрическое поле, которое воспрепятствует дальнейшей диффузии носителей. [13]
 |
Коррекция плоской вершины импульса. [14] |
С момента подачи входного импульса начинается переход дырок из эмиттера в базу. Если бы траектории и скорости движения всех дырок в базовом слое были одинаковыми, то они одновременно достигли бы коллекторного перехода и на нагрузке с некоторым запозданием ( 0 15 - 0 2 мксек) появился бы импульс, повторяющий по форме входной. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5