Переход - дырка
Cтраница 2
Положительная составляющая ( 1 - а) / э обусловлена переходом дырок из, базы в эмиттер ( поток 3) и рекомбинацией электронов потока / в базе. [16]
 |
Типичные характеристики р-п - р транзистора при включении. [17] |
UD ( ОД-05 в), который ускоряет приходящие к р-п переходу дырки. [18]
А в полупроводнике р точно так же движутся и удаляются от р-п перехода дырки. Подходя к левому электроду, они рекомбинируют с электронами, прибывающими из провода, соединяющего этот электрод с отрицательным полюсом источника. [19]
При этом переход электрона из валентной зоны на локальный уровень h называют переходом дырки в валентную зону, а обратный процесс - захватом дырки соответствующим структурным дефектом. [20]
Характерно, что при изучении полос рекомбинационного излучения в примесной области спектра, связанного с переходами дырок из валентной зоны на уровни дислокационного происхождения, в [ 5401 определено положение двух уровней, удаленных на 0 22 и 0 14 эВ от дна зоны проводимости. Кроме того, получены сведения, которые указывают на существование уровня ( или системы уровней) на глубине - 0 18 эВ от дна зоны проводимости. [21]
В некоторый момент времени электрическое поле, создаваемое этой разностью потенциалов, возрастает настолько, что переход дырок в п-область и электронов в р-область прекращается. В цепи возникнет ток, называемый прямым током, возрастающий с увеличением напряжения источника. [22]
 |
Принцип работы р-п-пе-рехода. [23] |
Разноименные заряды создают потенциальный барьер, который препятствует дальнейшему переходу электронов из п-об-ласти в р-область и переходу дырок в обратном направлении. Однако дырки, существующие в n - области, свободно преодолевают потенциальный барьер и могут перейти в р-область, аналогично электроны из р-области свободно перемещаются в п-область. Это движение зарядов создает небольшой дрейфовый ток. В установившемся режиме дрейфовый ток компенсируется диффузионным током и результирующий ток через границу p - n - перехода равен нулю. [24]
 |
Устройство ( а и схема включения ( б фототранзистора.| Вольт-амперные характеристики фототранзистора. [25] |
Электроны, оставшиеся в базе, воздействуют на эмиттерный переход, уменьшая высоту потенциального барьера, что способствует переходу дырок из эмиттера в базу. Эти дырки движутся через базу на коллектор, вызывая увеличение фототока фототранзистора. [26]
 |
Схема транзистора р-п - р с общей базой и аналогичная схема на электронной лампе. [27] |
Несмотря на непрерывную инъекцию дырок эмиттером, запасы их в эмиттере не убавляются, так как одновременно с переходом дырок из эмиттера в базу эмиттер покидает соответствующее количество электронов, уходящих во внешнюю цепь к положительному зажиму источника питания эмиттера, в результате чего в эмиттере появляются новые дырки. [28]
Несмотря на непрерывную инъекцию дырок эмиттером, запасы их в эмиттере не убавляются, так как одновременно с переходом дырок из эмиттера в базу эмиттер покидает соответствующее количество электронов ( 8 на рис. б), уходящих во внешнюю цепь к положительному зажиму источника Еэ, в результате чего в эмиттере появляются новые дырки. [29]
 |
Схема электронных переходов для различных механизмов рекомбинации. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5