Переход - тиристор
Cтраница 2
 |
Зависимости критического и вносимого зарядов от напряжения в закрытом состоянии.| Распределение дырок в базе п тиристора в различные моменты времени. [16] |
На практике широко используется технологическая шунтировка катодных переходов тиристоров. Поэтому целесообразно рассмотреть расчет dw / df - стойкости именно таких тиристоров. [17]
Наибольшее значение периодических перенапряжений может возникнуть при переходе тиристора от прямого пропускающего состояния в обратное запертое. Перенапряжения появляются в момент резкого спадания обратного тока ( скорость спадания тока исчисляется сотнями миллионов ампер в секунду) и могут вызвать пробой тиристора. Время спадания обратного тока составляет около 0 1 мксек. Для уменьшения скорости спадания тока параллельно тиристору следует включать емкость. Последовательно с емкостью включается демпфирующее сопротивление, ограничивающее потери в вентиле при включении и определяющее характер затухания колебательного процесса в контуре. [18]
Величина / max ограничивается максимальной мощностью, выделяемой на переходах тиристора. [19]
 |
Временные зависимости напряжений на первом и втором эмиттерных переходах и тока через тиристор во время переключения тиристора из открытого в закрытое состояние. [20] |
Почему коллекторный переход тиристора оказывается смещенным в прямом направлении при переходе тиристора в открытое состояние. [21]
Напряжение на прямосмещенных эмиттерных переходах тиристора в области первоначального включения ( на эмдаттерных переходах тиристора Т, рис. 9.7) не превышает 1 В. [22]
Время выключения ( по основной цепи) tq измеряется при максимально допустимой температуре перехода тиристора. Форма импульса тока в открытом состоянии трапецеидальная, амплитуда равна максимально допустимому среднему значению тока в открытом состоянии. Амплитуда обратного напряжения, прикладываемого к тиристору в процессе выключения, равна 100 В. Амплитуда повторно прикладываемого импульса напряжения равна 0 67 максимально допустимого значения повторяющегося импульсного напряжения в закрытом состоянии. Скорость нарастания этого напряжения выбирается из ряда 20, 50, 100, 200 В / мкс и указывается в стандартах на конкретные типы тиристоров. [23]
 |
Структуры тиристоров. [24] |
Величина / откр гаах ограничивается максимальной мощностью, вы - [ еляемой на переходах тиристора. [25]
Если в цепи управления имеется управляющий ток / yi 2, з, то переход тиристора из одного состояния в другое ( включение) осуществляется при прямом напряжении, меньшем UBKJI, как это показано пунктирными линиями. [26]
Однако под t / np в этом случае мы будем понимать напряжение пробоя среднего р-п перехода тиристора, которое обусловлено совместным действием перечисленных выше видов пробоя. [27]
На рис. 5.2, б показана полярность напряжений на всех трех p - n - переходах тиристора в открытом состоянии. Коллекторный переход смещен в прямом направлении из-за избыточных зарядов основных носителей в базовых областях, накопленных там в процессе переключения тиристора. [29]
После полного перезаряда С0 выключается каскадный тиристор TI, а в результате продолжающегося заряда блокирующего конденсатора С3 через базо-эмиттерный переход каскадного тиристора Т3 начинает протекать подготавливающий ток. С приходом следующего запирающего импульса включается тиристор Т3, выключается тиристор Т2, а через управляющий электрод тиристора Г4 идет подготавливающий ток. [30]
Страницы: 1 2 3 4